门极

作品数：452被引量：886H指数：15
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电网用5500A/8000V逆阻型IGCT研制
《半导体技术》2025年第2期127-133,共7页陈芳林 方佳仪 陈勇民 曹强 邹平 孙永伟 操国宏 
2024湖南省十大技术攻关项目(2024GK1060)。
针对现有电网换相换流阀(LCC)技术中的换相失败问题,提出了基于逆阻型集成门极换流晶闸管(IGCT)主动关断能力的混合换相换流阀(HCC)技术,其中高容量的逆阻型IGCT至关重要。为提升器件的耐压、关断和通流能力,采用独立终端结构和有源区p...
关键词：集成门极换流晶闸管(IGCT) 逆阻型 终端 结构设计 混合换相换流阀(HCC) 
IGCT过应力关断下动态雪崩诱发的电压自箝位效应
《半导体技术》2024年第10期879-884,共6页董曼玲 姚德贵 宋伟 张嘉涛 肖超 鲁一苇 杨武华 
作为高压功率器件,集成门极换流晶闸管(IGCT)关断过程中必然发生的动态雪崩效应是限制器件反偏安全工作区(RBSOA)的重要因素。通过建立能更好地反映电流集中效应的多单元仿真结构模型,对IGCT过应力条件下的关断特性进行了仿真,发现了一...
关键词：集成门极换流晶闸管(IGCT) 反偏安全工作区(RBSOA) 过应力关断 动态雪崩 电流丝 自箝位 
双芯IGCT浪涌电流鲁棒性研究被引量：1
《半导体技术》2024年第3期234-239,245,共7页鲁一苇 姚德贵 董曼玲 肖超 陈涛 杨武华 
作为晶闸管类器件,双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT)必须具备的抗浪涌电流能力研究鲜见报道。基于多单元集成的器件仿真结构模型,揭示了Dual IGCT在浪涌电流下工作时,总电流在GCT-A部分和GCT-B部分间的分配比例会随晶格温度升高而减...
关键词：双芯集成门极换流晶闸管(Dual IGCT) 浪涌电流 寿命控制 复合中心 鲁棒性 
一种抑制SiC MOSFET电压电流过冲的有源门极驱动电路
《半导体技术》2023年第11期1006-1011,1029,共7页李欣宜 
相较于Si MOSFET,SiC MOSFET的高电子迁移率使其能支持更高的开关速度,但与此同时会产生更大的电压、电流过冲,影响其应用的可靠性。提出了一种用于抑制SiC MOSFET漏源电压vds与漏极电流id过冲的有源门极驱动(AGD)电路,通过检测vds和id...
关键词：SiC MOSFET 有源门极驱动(AGD) 反馈控制 电流过冲 电压过冲 
应用于车载变流器的RC-IGBT工作特性被引量：4
《半导体技术》2017年第5期363-370,共8页黄先进 凌超 孙湖 游小杰 肖春俊 
北京交通大学与日本东芝公司国际合作项目(E15F00030);航天三十五所校企联合培养计划资助项目
逆导型IGBT(RC-IGBT)是将IGBT功能与续流二极管功能集成在一个芯片上,实现了在相同封装体积下,可获得更大的功率密度,由于IGBT与二极管紧密的移相热耦合,在相同散热条件下,RC-IGBT允许的工作结温更高。同时,RC-IGBT的本征二极管还受到...
关键词：逆导型IGBT(RC-IGBT) 门极退饱和控制 车载变流器 损耗优化 续流二极管 
碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展被引量：2
《半导体技术》2016年第2期89-95,共7页周才能 岳瑞峰 王燕 
由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十...
关键词：碳化硅 门极可关断晶闸管(GTO) 结终端(JTE) 阻断电压 少子寿命 
IGCT及IGCT变频器被引量：7
《半导体技术》2004年第5期89-92,共4页李洪剑 王志强 余世科 
IGCT是一种在大功率开关器件GTO基础上改进而成的新型电力电子器件。和GTO相比,IGCT的关断时间降低了30%,功耗降低40%。它是一种不需要吸收电路的开关器件,可以像晶闸管一样导通,像IGBT一样关断,并且具有很低的功率损耗。IGCT在使用时...
关键词：IGCT 变频器 开关器件 功率损耗 集成门极换流晶闸管 
控制门极参数提高晶闸管成品率的新方法
《半导体技术》1995年第2期16-18,共3页蒋晓波 
针对晶闸管生产中门极参数控制存在的问题，提出了改善门极参数的新方法即ｎ￣＋扩散调整法和表面挖槽法。实验结查表明，使用ｎ￣＋扩散调整法后，门极参数的合格率提高了３０％以上，表面挖槽法则将许多废品器件转变成了合格产品。这...
关键词：晶闸管 涂源扩散 门极触发电流 参数 
门极p层扩散参数对GTO特性影响分析
《半导体技术》1994年第6期29-31,共3页陈辉明 
通过一维计算机数值模型分析了ＧＴＯ门极ｐ型层扩散参数对其单元特性分散性影响，表明高均匀ｐ基区扩散是实现大容量ＧＴＯ的一个重要保证。
关键词：门极 p层扩散 GTO计算机 数值模型 特性分析 
日本IGBT门极驱动模块
《半导体技术》1992年第1期24-27,33,共5页张秀澹 
IGBT绝缘门极双极晶体管的门极驱动电路很多,分立式驱动电路既实用又经济,但要求达到预期的性能尚较困难,尤其是由于IGBT内寄生晶体管和寄生电容的存在,门极驱动与损坏时脉宽的关系(+V_G损坏时脉宽变窄)等原因,驱动电路的设计考虑门极...
关键词：双极 晶体管 驱动模块 IGBT门级 
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