模型参数提取

作品数：37被引量：73H指数：4
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CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真
《半导体技术》2023年第10期902-910,共9页王正楠 张昊 李平梁 
为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立...
关键词：热载流子注入(HCI) 可靠性仿真 老化模型 模型参数提取 SPICE模型 
粒子群算法和遗传算法提取闪存器件模型参数的对比被引量：3
《现代电子技术》2022年第6期29-34,共6页闫国亮 丁洁 
国家自然科学基金项目(61604105)。
为了有效指导闪存单元的模型参数提取,文中基于BSIM4模型,选取了合适的模型参数,利用粒子群算法和遗传算法作对比,找到了一种最佳的闪存器件模型参数提取方法。POM分子闪存器件是一种新型浮栅闪存器件,将作为研究对象被用于文中模型参...
关键词：模型参数提取 闪存器件模型 粒子群算法 遗传算法 参数优化 数据拟合 
数据挖掘在IGBT模型参数提取中的应用研究被引量：2
《微电子学》2020年第6期848-852,共5页严利人 刘道广 刘志弘 
广东省重点领域研发计划项目(2019B010143002)。
针对半导体器件的SPICE模型参数提取,提出了一种正向处理技术。对于选定的器件和模型,大量运行不同模型参数组合下的SPICE仿真,获得各种不同的电特性曲线,形成超大规模的数据集。若通过测试得到了确实的测试数据,则通过数据挖掘和人工...
关键词：批量仿真 数据挖掘 KNN算法 多元回归 
多胞MOSFET器件的射频建模和参数提取（英文）被引量：2
《红外与毫米波学报》2017年第5期550-553,562,共5页周影 于盼盼 高建军 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(61474044)
对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中,根据可缩放规律,由传统模型的参数推导出元胞参数.将模型应用于8×0.6×12μm(栅指数×栅宽×元...
关键词：半导体技术 小信号模型 模型参数提取 趋肤效应 多胞模型 
GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取
《半导体技术》2015年第7期507-511,共5页李静强 胡志富 崔玉兴 刘会东 
介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件建模的噪声模型,Pucel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型。基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 噪声 模型 参数提取 
IGBT模型参数提取方法研究
《河南科学》2014年第10期2021-2024,共4页张伟 王孟平 
2012年河南省科技创新人才计划项目(124200510022)
基于绝缘栅双极性晶体管简化等效电路,对影响IGBT输出外部信号的四个相关内部参数:栅极电容、跨导、剩余截流子寿命、栅漏极有效导电面积,进行了讨论并提出了推导方法.
关键词：绝缘栅双极性晶体管 栅极电容 跨导 剩余截流子寿命 栅漏极有效导电面积 
基于CCD工艺提取MOS模型的电路验证
《半导体光电》2012年第2期221-224,共4页吕玉冰 祝晓笑 翁雪涛 岳志强 苏玉棉 
对基于CCD工艺提取的BSIM3v3模型,在CCD片上放大器电路上进行了验证,通过在直流、瞬态和交流条件下对比电路的仿真数据和实际测试数据,验证了该模型,即提取的模型能够满足电路模拟的要求。
关键词：CCD 模型参数提取 验证 
华力微电子选用概伦电子BSlMProPlUTMSPlCE建模平台
《中国集成电路》2012年第3期1-1,共1页
概伦电子（ProPlus）近日宣布，上海华力微电子有限公司已采用概伦电子业界领先的BsIMProPlusTMSPICE建模平台，用于支持华力微电子建立65／55纳米、45／40纳米及以下先进工艺节点的SPICE模型建模解决方案，用于数据测量、模型参数提取...
关键词：建模平台 微电子 SPICE模型 模型参数提取 数据测量 工作流程 模型校准 电子业 
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》2011年第4期57-65,共9页
关键词：半导体技术 薄膜光学 发光器件 基区 模型参数提取 导通电阻 表面势 器件模拟 纤锌矿结构 界面态密 
基于CCD工艺的模型参数提取测试图形设计被引量：1
《半导体光电》2011年第4期492-494,572,共4页祝晓笑 石念 杨洪 翁雪涛 
介绍了一套基于CCD工艺的模型参数提取用测试图形(Testchip)设计方法。该Testchip的设计充分考虑了CCD工艺特征、中测测试条件、CCD放大器特性等各种关键因素,并在对应的工艺线进行流片,得到了完整的测试数据。
关键词：CCD 模型参数提取 测试图形 
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