耐压性能

作品数：143被引量：195H指数：7
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电子枪高压绝缘性能提升的结构优化研究
《电子器件》2024年第6期1525-1529,共5页陈昭福 汝佳冉 储开荣 王加松 沈长圣 柏宁丰 孙小菡 
中国电子科技集团公司第十二研究所稳定支持研究经费资助项目。
电子枪中陶瓷的耐压性能是制约速调管向高功率方向发展的重要因素之一,而陶瓷沿面闪络的发生是影响其耐压性能的关键。根据陶瓷沿面闪络的产生机理,提出了一种新型绝缘结构,利用多组屏蔽环结构控制真空、陶瓷和金属三结合点处的电场强度...
关键词：耐压性能 沿面闪络 三结合点 防晕环 屏蔽环 
电源产品PCB的介质耐压性能
《电子工艺技术》2022年第4期245-248,共4页曾福林 安维 李冀星 
介质耐压性能对于电源产品PCB至关重要,直接决定了电源产品的长期可靠性。长期以来对于PCB层间耐压设计要求不清晰,导致企业经常发生耐压起火的安全事故,给企业带来巨大的损失。重点研究了基板的耐压和基板压合后耐压的差异,明确了每mil...
关键词：PCB 电源产品 介质耐压 
基于自主研发浆料的功能陶瓷线路基板开发及产业化
《中国科技成果》2018年第8期71-75,共5页
随着微电子封装密度的不断增加，封装结构的散热性能和耐压性能也被赋予更高要求。作为微电子封装结构中的重要组成部分，封装基板必须具备更高的导热、耐压和微波性能，因此，高性能的新型封装基板成为第三代半导体器件封装领域高度关...
关键词：封装基板 功能陶瓷 自主研发 产业化 开发 线路 浆料 耐压性能 
电极表面状态对像增强器耐压性能的影响被引量：1
《真空科学与技术学报》2017年第6期549-554,共6页杨晓军 焦岗成 李世龙 师宏立 侯志鹏 李丹 邱洪金 黄武军 
微光夜视技术重点实验室项目(GY201627)
像增强器(简称像管)的耐压性能是影响其增益,背景噪声和分辨力的一个重要因素。引起像管电击穿的原因很多,其中,电极的表面形态在其击穿的起始阶段发挥着重要的作用。本文针对像管特有的高场强微间隙电场结构,通过对不同电极进行耐压测...
关键词：像管 场致发射 表面状态 耐压性能 
4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究
《智能电网》2016年第6期550-553,共4页王嘉铭 钮应喜 裴紫微 赵妙 杨霏 李俊杰 李俊峰 张静 许恒宇 金智 刘新宇 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键...
关键词：SIC 肖特基势垒二极管 结终端技术 耐压性能 
微波管用氧化铝陶瓷真空耐压性能及测试方法研究被引量：4
《真空电子技术》2015年第3期34-38,共5页尚阿曼 田志英 张巨先 
本文根据微波管用氧化铝陶瓷的使用条件,对氧化铝陶瓷绝缘子真空耐压性能的测试方法进行了研究,同时还研究了测试系统真空度对陶瓷耐压性能的影响。此外,利用本文确定的测试方法,对不同工艺制备的氧化铝陶瓷真空耐压性能进行了测试,结...
关键词：氧化铝陶瓷 真空耐压性能 沿面闪络 测试方法 
恩智浦推出60 V FlexRay收发器
《单片机与嵌入式系统应用》2012年第6期88-88,共1页
恩智浦半导体（NXP）推出全新Flex Ray收发器系列，以支持汽车行业在未来的车型中采用48V供电电压。新型48 V Flex Ray产品完善了原有的48VCAN收发器系列。恩智浦收发器率先支持48V供电系统，并且耐压性能可以达到±60V的产品。
关键词：FLEXRAY CAN收发器 供电电压 汽车行业 供电系统 耐压性能 半导体 产品 
钻石晶体管
《光学精密机械》2011年第3期14-14,共1页
钻石作为半导体材料具有最好的绝缘耐压性能和最高的热传导率，但钻石通常电阻非常大，限制了其应用。日本研究人员在钻石中掺进杂质解决这一问题，首次制成了双极型晶体管，为研制节能半导体元件开辟了新道路。
关键词：双极型晶体管 钻石 半导体材料 半导体元件 热传导率 耐压性能 研究人员 杂质 
真空中高压电极的单次脉冲沿面闪络耐压
《中国工程物理研究院科技年报》2008年第1期98-99,共2页程焰林 向伟 雷杨俊 
氧化铝陶瓷以其优良的机电性能在特种电真空器件中被广泛应用，起着高压绝缘、真空密封以及支撑固定的作用。随着脉冲功率技术和电真空器件技术的迅速发展，对氧化铝陶瓷的耐压性能提出了更高的要求。实践表明，在真空条件下，氧化铝陶...
关键词：电真空器件 高压电极 沿面闪络 耐压性能 单次脉冲 氧化铝陶瓷 陶瓷绝缘子 脉冲功率技术 
氮化硅薄膜的制备方法及主要应用被引量：3
《材料导报》2004年第F10期298-300,297,共4页张化福 祁康成 吴健 
氮化硅薄膜具有优良的光电性能、绝缘耐压性能、机械性能以及钝化性能等，在光电子、微电子等大规模集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用。重点评述了制备氮化硅薄膜的几种常用方法，并介绍了氮化硅薄膜的主要性能及其应用。
关键词：氮化硅薄膜 应用 制备方法 大规模集成电路 半导体器件 光电性能 耐压性能 机械性能 常用方法 主要性能 光电子 微电子 
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