多层互连

作品数：20被引量：30H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：罗乐徐高卫郝一龙武国英董刚更多>>
相关机构：瑞萨电子株式会社中国科学院国际商业机器公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《新材料产业》《微电子技术》《印制电路信息》《中国集成电路》更多>>
相关基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目国家高技术研究发展计划江苏省高校自然科学研究项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
ULSI多层互连中W-CMP速率研究被引量：1
《半导体技术》2009年第8期737-740,共4页张进 刘玉岭 申晓宁 张伟 苏艳勤 
国家重点自然科学基金资助项目(10676008);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050080007);河北省重点学科冀教高资助项目(2001-18)
随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,...
关键词：集成电路互连 化学机械抛光 钨插塞 抛光液 抛光速率 
VLSI芯片制备中的多层互连新技术被引量：1
《半导体技术》2006年第11期839-842,共4页成立 李加元 李华乐 李岚 王振宇 
江苏省高校自然科学研究基金项目(04KJB310171)
在简要介绍多层互连材料的基础上,论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术,包括“Cu线+低k双大马士革”多层互连结构、平坦化技术、CMP工艺、“Cu+双大马士革+低k”技术、插塞和金属通孔填充工艺等,并提出了一些多层互连工艺中的关键...
关键词：集成电路 铜互连 低K介质 双嵌入(双大马士革)工艺 淀积 化学机械抛光 
多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展被引量：6
《半导体技术》2005年第8期21-24,共4页陈苏 张楷亮 宋志棠 封松林 
国家863计划(2003AA327200);上海市纳米科技与产业发展促进中心纳米专项(0352nm016;0359nm204;0252nm084);上海市科委项目(03dz11009);基础研究项目前沿课题(2001CCA02800)
对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步...
关键词：超大规模集成电路 化学机械抛光 铜 抛光液 多层互连 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部