金属半导体

作品数：62被引量：42H指数：3
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基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试
《半导体技术》2024年第1期97-102,共6页睢林 曹咏弘 王耀利 张凯旗 张翀 程亚昊 
为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的...
关键词：射频器件 无损测试 各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构 GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET) 单刀八掷(SP8T)开关 插入损耗 
超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续)被引量：1
《半导体技术》2021年第2期81-103,共23页赵正平 
3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效...
关键词：金属半导体场效应晶体管 功率电子学 宽禁带半导体 功率晶体管 二维空穴气 低导通电阻 微波电子学 逻辑电路 
8.9W/mm高功率密度SiC MESFET器件研制
《半导体技术》2013年第1期20-24,共5页李亮 默江辉 邓小川 李佳 冯志红 崔玉兴 付兴昌 蔡树军 
基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了Al记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,优化了凹槽尺寸,采用细栅制作技术完成了栅电极制作,最...
关键词：碳化硅 微波 金属半导体场效应晶体管 功率密度 脉冲 
S波段SiC MESFET多胞大功率合成技术研究
《半导体技术》2012年第10期764-767,共4页付兴昌 默江辉 李亮 李佳 冯志红 蔡树军 杨克武 
优化了芯片版图结构,采用常规工艺制作了SiC MESFET大栅宽芯片。优化了管壳内芯片装配形式,采用电容及电感匹配网络提高了器件阻抗,提高了器件增益。设计并优化了3 dB电桥输入及输出匹配电路,保证了器件最大功率输出及工作稳定性。最终...
关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管 内匹配 大功率 高增益 3dB电桥 
S波段SiC MESFET微波功率MMIC被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期244-246,共3页柏松 陈刚 冯忠 钱峰 陈征 吴鹏 任春江 李哲洋 郑惟彬 蒋幼泉 陈辰 
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波...
关键词：碳化硅 金属半导体场效应晶体管 微波功率 单片微波集成电路 
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