单粒子烧毁

作品数：51被引量：82H指数：5
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相关作者：王颖唐本奇曹菲耿斌贾云鹏更多>>
相关机构：杭州电子科技大学西安电子科技大学哈尔滨工业大学西北核技术研究所更多>>
相关期刊：《电力电子》《装备环境工程》《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》更多>>
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抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究被引量：1
《微电子学》2021年第5期746-750,共5页徐政 吴素贞 徐海铭 廖远宝 吴锦波 彭时秋 赵文彬 
国家重点研发计划专项(2017YFF0104800)。
仿真研究了300V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1pC/μm),SEB电压呈负温度系数特...
关键词：功率VDMOS 单粒子烧毁 温度特性 抗辐射加固 
功率VDMOS器件的SEB致SEGR效应研究被引量：3
《微电子学》2020年第3期416-420,共5页张小林 严晓洁 唐昭焕 
空间环境材料行为及评价技术重点实验室资助项目(61429100306)。
功率VDMOS器件是航天器电源系统配套的核心元器件之一,在重粒子辐射下会发生单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应,严重影响航天器的在轨安全运行。本文在深入分析其单粒子损伤机制及微观过程的基础上,发现了功率VDMOS器件在重粒子辐...
关键词：功率VDMOS器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 SEBIGR效应 
评价功率VDMOS器件SEB效应的畸变NPN模型
《微电子学》2020年第2期236-240,共5页冯筱佳 唐昭焕 杨发顺 马奎 
空间环境材料行为及评价技术重点实验室资助项目(61429100306);教育部工程研究中心资助项目(010201)。
构建了一个半径为0.05μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的半径方向呈高斯分布。考虑到功率VDMOS器件的SEB效应与寄生NPN具有直接关系,提出了一种畸变NPN模型,并通过...
关键词：功率VDMOS器件 单粒子烧毁 畸变NPN模型 耗尽区电场 
功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展被引量：4
《微电子学》2017年第3期401-405,共5页唐昭焕 杨发顺 马奎 谭开洲 傅兴华 
国家自然科学基金资助项目(61464002);贵州省重大科技专项资助项目(黔科合重大专项字[2015]6006)
针对功率VDMOS器件抗单粒子辐射加固技术在空间辐射环境下的要求,从重粒子对VDMOS器件的辐射机理及作用过程出发,归纳出功率VDMOS器件抗单粒子辐射加固的三类技术:屏蔽技术、复合技术和增强技术。综述了国内外功率VDMOS器件这三类抗单...
关键词：功率VDMOS 单粒子烧毁 单粒子栅穿 加固技术 
基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究被引量：3
《微电子学》2014年第1期105-109,共5页陈佳 乔哲 唐昭焕 王斌 谭开洲 
分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMO...
关键词：VDMOS 单粒子效应 锎源 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
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