单片电路

作品数：53被引量：37H指数：3
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E/D GaAs PHEMT多功能MMIC设计被引量：9
《固体电子学研究与进展》2014年第1期29-34,40,共7页刘石生 彭龙新 潘晓枫 沈宏昌 
基于E/D GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了Ku波段多功能MMIC芯片。该MMIC集成了数字驱动器和微波电路,内含6bit数控移相器、6bit数控衰减器、3个低噪声放大器、4个数控单刀双掷开关、多个TTL数字驱动器。其中两个低噪声放...
关键词：数字微波集成多功能单片电路 数控移相器 数控衰减器 数字驱动器 
X波段GaN单片电路低噪声放大器被引量：3
《固体电子学研究与进展》2011年第1期16-19,共4页周建军 彭龙新 孔岑 李忠辉 陈堂胜 焦刚 李建平 
采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27...
关键词：低噪声放大器 微波单片集成电路 氮化镓高迁移率晶体管 
用于移动通信的GaAs单片功率放大器
《固体电子学研究与进展》1997年第1期3-6,共4页顾炯 陈克金 蒋幼泉 李祖华 陈堂胜 
简介了移动电话单片功率放大器的设计、制作，给出了电路拓扑和版图．该三级放大电路在800－900MHz内，小信号增益＞35dB，饱和输出功率＞32dBm，效率＞34%。采用50mm全高于注入全平面干法工艺，均匀性、重复性好，工艺成品率高。
关键词：砷化镓 单片电路 功率放大器 移动通信 
GaAs数字单片电路的计算机模拟
《固体电子学研究与进展》1990年第1期22-27,共6页徐世晖 沈祥骥 毛昆纯 余志平 
本文在开发并确立通用电路分析程序SPICE3A7的GaAs MESFET模型及相应模型参数提取方法的基础上,对GaAs MESFET器件及相关BFL.单元电路进行了直流和瞬态的计算机模拟和部分优化,取得了较好结果;并对研制中的分频器电路设计进行了计算机研究.
关键词：数字电路 GAAS 单片 计算机模拟 
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