混频器

作品数：1092被引量：947H指数：11
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基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计
《半导体技术》2024年第2期151-157,共7页何锐聪 王亚冰 何美林 胡志富 
基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号...
关键词：INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路 分谐波混频器 带通滤波器 Marchand巴伦 
220GHz GaAs单片集成分谐波混频器被引量：3
《半导体技术》2022年第11期886-890,共5页杨大宝 赵向阳 刘波 邢东 冯志红 
基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真...
关键词：单片集成电路 分谐波混频器 肖特基二极管 建模 变频损耗 
一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC被引量：7
《半导体技术》2021年第6期451-455,共5页王贵德 范举胜 
混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极...
关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 无源双平衡混频器 超宽带 高隔离度 
基于GaAs肖特基二极管的220GHz线阵列被动接收前端被引量：1
《半导体技术》2020年第10期748-753,共6页杨大宝 梁士雄 张立森 赵向阳 吕元杰 冯志红 蔡树军 
国家重点研发计划资助项目(2018YFF0109701)。
基于GaAs肖特基二极管,研制了1×4多像素220 GHz线阵列被动接收前端,接收前端的每个接收通道包含一个W波段三倍频器和一个220 GHz分谐波混频器。三倍频器使用两个以串联结构集成4个肖特基结的二极管芯片实现平衡式倍频模式;220 GHz分谐...
关键词：接收前端 GaAs肖特基二极管 分谐波混频器 三倍频器 成像 
一种高线性无源双平衡混频器被引量：6
《半导体技术》2019年第6期421-425,432,共6页曲韩宾 高思鑫 张晓朋 高博 
设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器。电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路。为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行分析的基础上,折中选择混频核的晶体管尺寸...
关键词：混频器 BICMOS 无源双平衡 高线性度 下变频 
L波段四通道发射电路芯片的设计与实现被引量：4
《半导体技术》2018年第7期504-509,共6页王鑫华 陈明辉 杨格亮 
河北省自然科学基金和重点基础研究专项资助项目(18960202D)
基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2-1.4 GHz的射频信号。电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号。针对直接上变频输出谐波多和输出功率低的问题,采用高阶滤波器、窄带选频网...
关键词：发射芯片 直接上变频 有源RC滤波器 双平衡混频器 四通道 CMOS工艺 
一款集成驱动放大器的低变频损耗混频器设计被引量：2
《半导体技术》2018年第4期260-265,共6页杨立 李卫民 张佃伟 段冲 
采用0.5μm Ga As工艺设计并制造了一款单片集成驱动放大器的低变频损耗混频器。电路主要包括混频部分、巴伦和驱动放大器3个模块。混频器的射频（RF）、本振（LO）频率为4-7 GHz,中频（IF）带宽为DC-2.5 GHz,芯片变频损耗小于7 dB,本...
关键词：双平衡混频器 串联二极管环 螺旋式巴伦 变频损耗 集成驱动放大器 
宽带混频器的优化设计被引量：1
《半导体技术》2017年第5期330-334,共5页吴会丛 于洁 吴楠 李斌 
河北省自然科学基金资助项目(F2014208113)
采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并实现了一款单片宽带混频器。该混频器采用双平衡混频器结构,以串联的两个漏源相连的PHEMT作为环形二极管电桥中的二极管以提升混频器线性度。本振巴伦和射频巴伦均采用螺旋线式...
关键词：砷化镓(GaAs) 混频器 高线性度 遗传算法 巴伦 
基于垂直互连技术的上下变频多芯片模块被引量：2
《半导体技术》2015年第8期580-584,共5页董毅敏 厉志强 朱菲菲 
采用垂直互连技术研制了一种X波段上下变频多芯片模块,实现了微波单片集成电路和介质基板在三维微波互连结构中的平稳转换、保证了微波信号的有效传输。简要分析了垂直互连对微波传输的影响和解决方法,应用微波仿真软件建立了互联结构...
关键词：垂直微波互连 多芯片模块 上下变频 混频器 MMIC 
应用于无线传感器网络的射频发射机电路被引量：2
《半导体技术》2015年第8期561-565,共5页马骁 杜占坤 刘珂 毕见鹏 庞晓敏 邵莉 
国家科技重大专项资助项目(2012ZX03004006;2014ZX02302002)
设计了符合工业无线传感器网络WIA-PA标准的发射机电路。采用中频转换电路控制模拟中频信号的偏置及幅度以满足混频器的输入范围。采用正交双平衡混频器结构进行上变频,通过在固定电容上串联可调电容,拓宽了混频器的选频范围。后级接可...
关键词：发射机 直接上变频 混频器 WIA-PA标准 无线传感器网络(WSN) 
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