各向异性刻蚀

作品数：41被引量：64H指数：4
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郝一龙殷华湘徐秋霞李永亮毛海央更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司北京大学上海华虹宏力半导体制造有限公司更多>>
相关期刊：《电子制作》《集成电路应用》《微纳电子技术》《西南大学学报（自然科学版）》更多>>
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用于自对准Si MMIC的等平面深槽隔离工艺(英文)
《微纳电子技术》2013年第8期528-533,共6页苏延芬 梁东升 胡顺欣 邓建国 
研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后...
关键词：深槽隔离 各向异性刻蚀 等平面 自对准 微波单片集成电路(MMIC) 
过硫酸铵在TMAH体硅刻蚀中的作用被引量：1
《微纳电子技术》2012年第2期134-139,共6页余协正 叶迎华 沈瑞琪 李创新 
为了提高低浓度下四甲基氢氧化铵(TMAH)体硅刻蚀的质量,通过对质量分数为5%的TMAH进行研究,发现合适的过硫酸铵(AP)添加方式和添加量能够在不降低刻蚀速率的条件下提高体硅刻蚀质量。通过SEM,EDS和XRD对AP的作用机理进行深入分析,发现加...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 四甲基氢氧化铵(TMAH) 各向异性刻蚀 过硫酸铵(AP) 粗糙度 
双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术被引量：5
《微纳电子技术》2008年第8期480-483,共4页邓建国 刘英坤 段雪 苏丽娟 
提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双...
关键词：感应耦合等离子体 “Bosch”工艺 硅 双层侧壁保护 各向异性刻蚀 
硅尖的制备
《微纳电子技术》2003年第7期164-166,共3页王艳华 孙道恒 
隧道硅尖的制备是微机械隧道传感器制作的一个重要组成部分 ,通过对ICP刻蚀和湿法各向异性刻蚀工艺制备硅尖实验的研究 。
关键词：隧道硅尖 各向异性刻蚀 微机械隧道传感器 ICP刻蚀 
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