光电器件

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二甲胺离子在钙钛矿太阳能电池及光电器件中的研究进展
《材料导报》2022年第S02期1-8,共8页张左林 王成麟 陈聪 宋宏伟 
国家自然科学基金(62004058);河北省自然科学基金(F20202022)。
近年来,利用二甲胺(DMA)阳离子来改善钙钛矿太阳能电池(PSCs)及光电器件的性能引起了学者们的广泛关注。在钙钛矿前驱体溶液中添加半径较大的A位阳离子DMA,已被证明可以提高卤化物PSCs及光电器件的性能和长期运行稳定性。为了更好地了...
关键词：PSCs 光电器件 DMA 稳定性 带隙 
非线性晶体和光电材料硒化镓的研究进展被引量：1
《材料导报》2022年第5期20-29,共10页杜辉 陈巧 刘婷 贺毅 金应荣 
教育部春晖计划项目(12201519);四川省科技厅项目(13201657)。
中远红外激光和光电器件在军事和民用等领域都有广泛的应用。中远红外非线性光学晶体作为中远红外激光器的核心部件变得越来越重要,而硒化镓(GaSe)正是综合性能优异的中远红外非线性光学晶体。此外,二维GaSe材料凭借其优异的光电性能在...
关键词：中远红外 硒化镓 非线性光学晶体 光电器件 二维材料 
二维黑磷的制备及光电器件研究进展被引量：3
《材料导报》2017年第9期45-49,共5页王慧德 范涛健 谢中建 张晗 
国家自然科学基金(61675135;61435010)
黑磷有随层数可调的直接带隙和独特的各向异性结构等众多优异的性质,因此近年来受到科研人员的广泛关注。本文概述了二维黑磷的制备方法,重点综述了黑磷独特的非线性光学性质、各向异性光学性质及它在光电器件中的应用。最后,对黑磷的...
关键词：二维材料 黑磷 制备 光学性质 光电器件 
纳米线透明导电薄膜的制备及在光电器件中的应用被引量：5
《材料导报》2017年第7期6-18,共13页刘萍 曾葆青 王亚雄 汪江浩 
国家自然科学基金(61571103;11305031)
基于纳米线的透明导电薄膜具有光电性能优异、制备成本低廉以及可用于制备柔性器件等优点,在透明导电薄膜材料领域占据重要地位。文章着眼于阐述纳米线透明导电薄膜的制备及其在光电器件中的应用。首先详细介绍了滴涂、浸渍、抽滤、迈...
关键词：银纳米线 铜纳米线 透明导电薄膜 太阳能电池 电致发光器件 
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶在光电器件方面的应用研究进展被引量：1
《材料导报》2007年第F11期23-26,共4页石鹏 
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶与聚合物的复合物在光电器件领域的应用近年来成为国内外研究的热点。综述了近几年来半导体纳米晶/共轭聚合物在有机/无机复合电致发光器件和太阳能电池方面的应用进展情况,着重强调了其发展历程,并对其存在的问题...
关键词：半导体纳米晶 电致发光器件 太阳能电池 
SiGe／Si异质结光电器件被引量：2
《材料导报》2006年第1期116-119,共4页刘国军 叶志镇 吴贵斌 孙伟峰 赵星 赵炳辉 
国家科学技术部攀登项目浙江省计划资助项目(981101040;991110535)
SiGe／Si异质结光电器件及其光电集成(OEIC)是硅基光电研究的一个非常引人注目的领域。综述了SiGe／Si异质结材料的基本性质,SiGe／Si异质结光电器件的结构、性能、应用及其光电集成。重点介绍了SiGe／Si光电探测器及其与其他相关器件...
关键词：SIGE/SI异质结 光电器件 光电集成 
碳纳米管／聚合物基复合材料的研究现状和发展动态被引量：4
《材料导报》2004年第F10期170-172,共3页郑亚萍 田威 
介绍了碳纳米管／聚合物基复合材料在国内外的研究现状及应用。重点介绍了共轭发光聚合物修饰碳纳米管形成的聚合物基复合材料具有很强的发光性能，有望用于光电器件；而且，通过连结氨基聚合物，可使多壁碳纳米管溶解和功能化，从而将...
关键词：聚合物基复合材料 研究现状 发展动态 多壁碳纳米管 聚合物修饰 发光性能 光电器件 国内外 功能化 生物学 复合物 应用 
铁电薄膜应用研究进展被引量：1
《材料导报》2004年第10期73-75,84,共4页徐文彬 王德苗 董树荣 
国家自然科学基金(50172042)
简要综述了铁电薄膜在铁电存储器、MEMS系统、微波器件、光电器件等几个方面的典型应用,并对国内铁电薄膜的研究及发展作了概述。
关键词：铁电薄膜 微波器件 光电器件 MEMS 典型应用 铁电存储器 系统 国内 
氧化锌中的本征点缺陷对材料光电性能的影响被引量：6
《材料导报》2004年第9期79-82,共4页章炜巍 朱大中 沈相国 
国家自然科学基金(No.60176027)
ZnO薄膜中的本征点缺陷对材料的电学、发光性能有着至关重要的影响。目前,对本征点缺陷的研究是ZnO领域的一大热点,也是实现ZnO基光电器件的关键技术之一。本文结合最新研究,扼要综述了本征点缺陷的电荷特性、对本征ZnO为n型的作用机理...
关键词：本征 点缺陷 光电性能 光电器件 发光性能 绿光 ZNO薄膜 氧化锌 电学 领域 
MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展被引量：2
《材料导报》2004年第8期4-6,共3页赵浙 叶志镇 
国家重大基础研究项目基金资助(No:G20000683-06)
p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺。使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意。最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展。介绍了p型掺...
关键词：P型GaN薄膜 MOCVD P型掺杂 光电器件 自补偿模型 共掺杂工艺 
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