硅基发光

作品数:34被引量:121H指数:7
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相关作者:鲍希茂陈维德马利波曹则贤郭维廉更多>>
相关机构:中国科学院南京大学北京大学复旦大学更多>>
相关期刊:《物理通报》《中国陶瓷工业》《光学学报》《中国教师》更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
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科技创新这场没有终点的‘马拉松’,我们会一直跑下去——记“中国硅基发光之父”中国科学院院士江风益
《中国产经》2022年第17期20-25,共6页
江风益出生于江西余干县一个农民家庭,从吉林大学本科毕业后,热爱家乡的他放弃了去北京有色金属研究总院工作的机会,回到当时的江西工业大学(南昌大学前身)任教。1987年,他前往中科院长春物理研究所攻读研究生学位,毕业后没有选择继续...
关键词:研究生学位 中国科学院院士 物理研究所 南昌大学 马拉松 热爱家乡 吉林大学 本科毕业 
后摩尔时代硅基片上光源研究进展被引量:5
《微纳电子与智能制造》2021年第1期136-149,共14页朱元昊 温书育 何力 骆军委 
中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划(YSBR-026);中国科学院战略性先导科技专项(B类)(XDB43000000);国家杰出青年科学基金(11925407)资助。
硅基光电子有着与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺兼容的优势,借助现有成熟的硅工业体系可以实现从理论设计到产品制造的快速转化。通过光互连与电互联的相互结合、取长补短,克服现有材料的限...
关键词:光电集成 硅基光电子 硅基发光材料 片上光互连 
硅基光电子学的最新进展被引量:29
《中国科学:物理学、力学、天文学》2015年第1期1-31,共31页王兴军 苏昭棠 周治平 
国家高技术研究发展计划(编号:2011AA010302);国家自然科学基金(批准号:61036011;61377056;61120106012);教育部新世纪优秀人才计划资助项目
随着人们对信息容量、速度以及成本的迫切要求,低成本、高度集成的硅基光电子学蓬勃发展,成为光通信、高速计算机等领域的研究热点和非常有前景的关键技术.硅基光电子学是一种可以用硅基集成电路上的投资、设施、经验以及技术来设计、...
关键词:硅基光电子学 硅基发光 硅基调制器 锗探测器 无源器件 
硅基发光光明万里——记“南昌大学半导体照明技术”教育部创新团队
《中国科技纵横》2010年第16期272-272,共1页田海虹 
在南昌国际展览中心举办的博览会主馆入口处,一个长7.68米、宽3.84米的硅衬底LED全彩显示屏吸引了众多参观者的目光。这个显示屏就是由晶能光电(江西)有限公司制造的。晶能光电拥有的硅衬底GaN基LED材料与器件技术是一种改写半导...
关键词:南昌大学 半导体 
β-FeSi_2薄膜制备与发光研究的进展被引量:2
《中国光学与应用光学》2009年第2期119-125,共7页朱放 肖志松 周博 燕路 张峰 黄安平 
国家自然科学基金资助项目(No.10604003);北京市科技新星计划资助项目(No.2006B15);教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(No.NCET-07-0045);航空科学基金资助项目(No.2008ZC51037)
过渡金属硅化物β-FeSi2因其原料价格低廉且利于环保而成为理想的硅基发光材料之一。探讨了β-FeSi2的发光机理,介绍了几种β-FeSi2薄膜制备方法并比较了不同制备方法的特点,总结了最近几年来β-FeSi2的研究进展和主要研究结果。结合作...
关键词:Β-FESI2 薄膜 薄膜制备 硅基发光材料 光电集成 
Si基发光的研究进展
《微纳电子技术》2009年第3期154-159,共6页刘伟 牛萍娟 李晓云 郭维廉 
国家自然科学基金资助项目(NSFC60706015)
回顾了Si基发光的研究历程,归纳分析了新近几种实现Si发光的方法和其优缺点,其中包括多孔Si发光、GeSi/Si量子阱发光、Sip-n结位错发光、CMOSSi基发光、PERL结构Si基发光等方法。重点介绍了PERL结构Si基发光,分析了结构设计中的几个关...
关键词:硅基发光 光互连 互补金属氧化物半导体 光陷阱 电光转换效率 
一维光子晶体微腔在硅基材料发光中的应用研究被引量:7
《光学学报》2008年第9期1793-1797,共5页陈丽白 郭震宁 林介本 
国务院侨办科研基金(06QZR02)资助项目
硅基材料的高效发光对未来硅基光电子集成的发展极其关键,含微腔的一维光子晶体可以显著提高其发光强度、窄化其发光峰。介绍了几种硅基材料发光的一维光子晶体微腔结构,包括单缺陷模式的对称与非对称结构、多缺陷模结构及电注入结构。...
关键词:光子晶体 一维光子晶体 硅基发光 微腔 缺陷模 
多孔硅的发光机制
《中国教师》2007年第S2期203-203,共1页丛培申 
光电集成是信息科技发展的必然趋势,然而单晶体硅的禁带宽度窄小(约1.12eV),又属于间接带隙半导体,决定了它不能直接应用于光电器件。直到1990年,Canham发现室温下介孔尺寸多孔硅强烈的光致发光现象,才再一次引发了硅基发光材料的研究...
关键词:多孔硅 量子限制效应 光致发光 禁带宽度 表面态 光电集成 必然趋势 光电器件 硅基发光材料 间接带隙半导体 
基于发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几条途径被引量:1
《物理》2005年第4期293-299,共7页李延辉 刘技文 赵燕平 李昌龄 李娟 
国家自然科学基金(批准号:10074049);天津市自然科学基金(批准号:023801611)资助项目
掺铒硅基发光材料可以用于制备光通信用光源、光纤放大器,更重要的是可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径,已成为研究的热点之一.文章讨论了掺铒硅及掺铒硅基材料的发光机理,指出了制约实用化方面存在的问题.从不同方面着重探讨...
关键词:发光效率 硅基材料 发光机理 硅基发光材料 光纤放大器 掺铒硅 集成技术 研究进展 光电子 实用化 掺氧 
硅基发光材料进展被引量:1
《中国陶瓷工业》2004年第5期38-40,共3页张珍容 魏坤 万隆 石棋 唐绍裘 
湖南省自然科学基金项目(批准号:02JJY3047)
硅基发光材料是近年来一个生机勃勃的研究领域。本文对多孔硅、硅基介孔材料的微观结构、光致发光谱、发光机理等进 行了简要的综述,并对未来的发展进行展望。
关键词:硅基发光材料 多孔硅 硅基介孔材料 微观结构 发光机理 
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