硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
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硅片直接键合的微观动力学研究被引量：1
《半导体技术》1999年第6期33-35,共3页何进 陈星弼 王新 
基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线， 定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致，初步确定了键合过程中界面发生的微观反应机理。
关键词：硅片直接键合 微观动力学 硅微结构 
用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术被引量：6
《半导体技术》1999年第5期19-22,共4页肖天龙 茅盘松 袁璟 
针对在Ｍ ＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的ＳＤＢ提高近１０ 倍的结论。最后详细...
关键词：MEMS 低温 硅片直接键合 氧等离子体激活 IC 
直接键合硅片的亲水处理及其表征被引量：16
《半导体技术》1999年第5期23-25,29,共4页何进 陈星弼 杨传仁 王新 
硅片直接键合（ＳＤＢ） 技术的关键在于硅片表面的亲水处理， 本文分析了亲水处理之微观机理。从界（表） 面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，
关键词：硅片直接键合 亲水处理 接触角 SDB技术 硅 
红外热像法无损分析硅片直接键合界面的键合强度被引量：1
《半导体技术》1996年第2期12-15,共4页王海军 钱照明 刘宏岩 叶挺秀 
国家自然科学基金;浙江省自然科学基金
提出了用红外热像无损检测ＳＤＢ界面空洞和定量检测界面键合强度的方法并与破坏性拉力实验和喷砂造型法对照，证明了该方法的可行性。
关键词：红外热象 无损检测 硅片 键合强度 直接键合 
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