高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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一款基于非线性模型设计的高性能GaN功率放大载片
《固体电子学研究与进展》2024年第4期277-283,共7页景少红 徐祖银 李飞 成爱强 梁宸玮 
国家重点研发计划项目(2022YFF0707800,2022YFF0707801);江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术项目(BE2022070,BE2022070-2)。
采用南京电子器件研究所研制的0.35μm栅长、60 V高压AlGaN/GaN HEMT工艺,利用可缩放大信号模型仿真设计了一款工作在S波段的高性能功率放大载片。该功率放大载片由单个总栅宽为36.4 mm的GaN管芯采用混合集成内匹配方案设计而成,漏极工...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 非线性模型 功率放大载片 
一种L波段300W GaN脉冲功率模块
《半导体技术》2024年第6期555-560,共6页董四华 刘英坤 高永辉 秦龙 
随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在电子系统中逐步得到了广泛应用。研制了一款小型化L波段300 W GaN脉冲功率模块。研发了满足高压脉冲工作条件的GaN HEMT芯片,采用负载牵引技术进行了器件大信号阻...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 负载牵引技术 高压脉冲调制 L波段 功率模块 
基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片被引量：1
《半导体技术》2024年第6期575-579,588,共6页徐伟 赵子润 刘会东 李远鹏 
基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、...
关键词：双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT) 单刀双掷(SPDT)开关 数控移相器 数控衰减器 
一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路被引量：2
《半导体技术》2024年第5期483-491,共9页王忠 秦世清 王福学 边国辉 
GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 驱动电路 串扰 桥式电路 电路振荡 
复合负反馈技术在宽带有源微波冷噪声源中的应用
《微波学报》2024年第2期30-34,共5页崔博 董帅 王振占 王文煜 
国家自然科学基金(42105130)。
针对C波段宽带有源微波冷噪声源设计中输出低温噪声性能与工作带宽的矛盾,文中选用Avago公司的ATF38143型GaAs基赝掺杂高电子迁移率晶体管(pHEMT)设计了一款C波段宽带有源微波冷噪声源。采用串、并联负反馈电路拓扑结构,在保证低温噪声...
关键词：有源微波冷噪声源 微波辐射计 定标 遥感 高电子迁移率晶体管 
0.2~2.0GHz100W超宽带GaN功率放大器被引量：1
《半导体技术》2024年第3期252-256,共5页张晓帆 银军 倪涛 余若祺 斛彦生 王辉 高永辉 
设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确...
关键词：GaN高电子迁移率功率管(HEMT) 功率放大器 集成无源器件(IPD) 超宽带 传输线变压器(TLT) 
具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振反激式功率变换器
《半导体技术》2024年第3期263-271,共9页王忠 曹通 王福学 边国辉 
提出了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振(QR)反激式功率变换器,以解决准谐振反激式功率变换器中开关管关断时电压过高的问题。电路以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主开关管和同步整流器开关管,自驱动有源缓冲器由钳位电...
关键词：反激式变换器 电压浪涌 自驱动有源缓冲器 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) DC-DC 
基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计
《半导体技术》2024年第2期151-157,共7页何锐聪 王亚冰 何美林 胡志富 
基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号...
关键词：INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路 分谐波混频器 带通滤波器 Marchand巴伦 
一种频率与带宽可调的可重构射频滤波器芯片
《微波学报》2024年第1期87-92,共6页骆银松 李智鹏 吕俊材 曾荣 吕立明 
本文基于0.25μm砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺设计实现了一款频率与带宽皆可调的有源可重构滤波器芯片。该滤波器采用了双通道信道化拓扑结构,每个通道由两级可调谐振器与三级宽带放大器交叉级联构成,通过对通道内各级谐振器频率...
关键词：可重构滤波器 信道化结构 砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 
X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2023年第9期805-811,共7页李远鹏 魏洪涛 刘会东 
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 限幅器 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 负反馈 
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