云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 雪崩光电二极管

雪崩光电二极管: 作品数：404被引量：890H指数：15; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陈钱廖常俊许金通高新江赵彦立更多>>; 相关机构：中国科学院浜松光子学株式会社中国科学院大学中国科学技术大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性被引量：1: 《红外与毫米波学报》2024年第1期63-69,共7页郭子路王文娟曲会丹范柳燕诸毅诚王亚杰郑长林王兴军陈平平陆卫; Supported by the National Natural Science Foundation of China(12027805,62171136,62174166,U2241219);the Science and Technology Commission of Shanghai Municipality(2019SHZDZX01,22JC1402902);the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences(XDB43010200)。; InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用...; 关键词：分子束外延 P/As切换异质界面扩散 InGaAs/InP雪崩光电二极管

基于0.35μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管: 《红外与毫米波学报》2022年第4期668-671,共4页鞠国豪程正喜陈永平; Supported by the Shanghai Pujiang Program(18PJ1410700);Key Laboratory of Defense Technology Funding of Chinese Academy of Sciences(CXJJ-20S004);Innovation Program of Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences(CX-268)。; 提出了一种基于0.35μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离(Separate Absorption,Charge and Multiplication,SACM)的结构设计。横向SACM结构采用了高压CMOS工...; 关键词：雪崩光电二极管横向SACM 高压CMOS工艺击穿电压

GHz重复频率可调InGaAs/InP单光子探测器被引量：2: 《红外与毫米波学报》2021年第6期840-846,共7页王天烨费起来徐博梁焰曾和平; 国家自然科学基金(11604209);上海市市级科技重大专项(2019SHZDZX01)。; InGaAs/InP雪崩光电二极管(avalanche photodiode APD)可实现近红外波段的单光子检测,具有集成度高功耗低等优势,被广泛应用于量子信息科学、激光测绘、深空通信等领域。通常,为了减小误计数,InGaAs/InP APD工作在门控盖革模式,其门控...; 关键词：单光子探测器雪崩光电二极管

具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管被引量：3: 《红外与毫米波学报》2021年第6期715-720,共6页顾宇强谭明吴渊渊卢建娅李雪飞陆书龙; Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2018YFB2003305);the Key R&D Program of Jiangsu Province(BE2018005);the Science and Technology Service Network Initiative of the Chinese Academy of Sciences(KFJ-STS-ZDTP-086);the Support From SINANO(Y8AAQ11003);Natural Science Foundation of Jiangsu Province(BK20180252)。; 通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流。制成的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管性能优异,与计算趋势一致。在获得0.85 ...; 关键词：雪崩光电二极管增益带宽积暗电流

高倍增低暗电流AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管被引量：3: 《红外与毫米波学报》2021年第2期172-177,共6页郑大农苏向斌徐应强牛智川; 国家基础研究计划(2018YFA0209104);国家自然科学基金(61790582)。; 用分子束外延系统(MBE)生长高质量GaSb基AlInAsSb四元数字合金制作雪崩光电二极管(APD)。为了克服随机体材料生长方式发生的偏析现象,采用迁移增强的数字合金生长方式,其快门顺序为AlSb,AlAs,AlSb,Sb,In,InAs,In,Sb。其高分辨率X射线衍...; 关键词：雪崩光电二级管分子束外延 AlInAsSb 四元数字合金

碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计被引量：2: 《红外与毫米波学报》2020年第1期6-12,共7页程雨顺郭慧君李浩陈路林春何力; 上海市青年科技英才扬帆计划(18YF1427400)~~; 碲镉汞(HgCdTe)线性雪崩焦平面因其相对低的过剩噪声、较小的工作电压、线性可调等优点,得到了广泛关注。基于电子雪崩中波HgCdTe PIN二极管结构,开展暗电流模型和Okuto-Crowell增益模型仿真。通过改变器件材料结构参数模拟不同电压下...; 关键词：HGCDTE 雪崩光电二极管仿真

碲镉汞雪崩焦平面器件被引量：5: 《红外与毫米波学报》2019年第5期587-590,共4页李浩林春周松敏郭慧君王溪陈洪雷魏彦锋陈路丁瑞军何力; 国家自然科学基金(61705247)~~; 碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0~6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20...; 关键词：碲镉汞雪崩光电二极管焦平面噪声等效光子数过剩噪声因子

利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管被引量：2: 《红外与毫米波学报》2019年第2期223-227,共5页李浩林春周松敏王溪孙权志; 国家自然科学基金(61705247)~~; 碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4. 8μm的中波器件在17 V反...; 关键词：HGCDTE 雪崩光电二极管离子束刻蚀增益过剩噪声因子

基于噪声平衡抑制的近红外单光子高速探测方法被引量：6: 《红外与毫米波学报》2016年第5期564-568,共5页刘宏敏陈杰梁焰曾和平; 国家自然科学基金项目(11404212);中国博士后科学基金(2014M560347)~~; 针对现有基于尖峰噪声电容平衡方法的单光子探测技术工作频率较低的问题,设计了利用高速二极管平衡的InGaAs/InP雪崩光电二极管信号提取方案.配合高速信号处理电路,实现了工作频率最高达700 MHz的近红外单光子探测器.雪崩二极管制冷至21...; 关键词：单光子探测雪崩光电二极管尖峰噪声平衡

基于InGaAs/InP雪崩光电二极管的高速单光子探测器雪崩特性研究（英文）被引量：10: 《红外与毫米波学报》2015年第4期427-431,共5页李永富刘俊良王青圃方家熊; Supported by Independent Innovation Foundation of Shandong University(2014YE015); 报道了一种基于InGaAs/InP雪崩光电二极管、1.25GHz正弦波门控及贝塞尔低通滤波器的1.25GHz高速短波红外单光子探测器.通过调整比较电路的鉴别电平,实验研究了单光子探测器雪崩信号幅度随反向直流偏压的变化.随着鉴别电平的提高,单光子...; 关键词：InGaAs/InP雪崩光电二极管单光子探测器短波红外

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