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作品数：1468被引量：2993H指数：17
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Defects evolution in n-type 4H-SiC induced by electron irradiation and annealing
《Journal of Semiconductors》2024年第7期77-83,共7页Huifan Xiong Xuesong Lu Xu Gao Yuchao Yan Shuai Liu Lihui Song Deren Yang Xiaodong Pi 
supported by the Open Fund(2022E10015)of the Key Laboratory of Power Semiconductor Materials and Devices of Zhejiang Province&Institute of Advanced Semiconductors,ZJU-Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center。
Radiation damage produced in 4H-SiC by electrons of different doses is presented by using multiple characterization techniques. Raman spectra results indicate that SiC crystal structures are essentially impervious to ...
关键词：4H-SIC deep level transient spectroscopy(DLTS) photoluminescence(PL) DEFECTS 
Enhancement of phosphors-solubility in ZnO by thermal annealing被引量：1
《Journal of Semiconductors》2015年第12期30-33,共4页K.Mahmood N.Amin A.Ali M.Ajaz un Nabi M.Imran Arshad M.Zafar M.Asghar 
the Higher Education Commission (HEC) of Pakistan for the financial assistance under project # IPFP/HRD/HEC/2014/2016
We have demonstrated the effect of annealing temperature on the diffusion density of phosphors in zinc oxide. The P-dopant P430 was sprayed on ZnO pellets and annealed at different temperatures from 500 to 1000 ℃ wit...
关键词：ZNO P-dopant EDX XRD PL 
Phase transformation from cubic ZnS to hexagonal ZnO by thermal annealing被引量：1
《Journal of Semiconductors》2015年第3期19-22,共4页K.Mahmood M.Asghar N.Amin Adnan Ali 
We have investigated the mechanism of phase transformation from ZnS to hexagonal ZnO by high- temperature thermal annealing. The ZnS thin films were grown on Si （001） substrate by thermal evaporation system using Zn...
关键词：ZNS phase transformation EDX XRD PL 
纳米非晶硅薄膜的界面发光特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期91-94,共4页傅广生 张江勇 丁文革 吕雪芹 于威 
河北省自然科学基金资助项目(批准号:E2006000999,E2004000119)
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了研究.结果显示,所有样品发光均表现为两个带的叠加:一个发光...
关键词：纳米非晶硅 PL PLE 吸收谱 界面发光 
化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期70-73,共4页高欣 孙国胜 李晋闽 赵万顺 王雷 张永兴 曾一平 
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向<11-20>晶向8°的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2θ=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC...
关键词：碳化硅 化学气相沉积 RAMAN PL 
多孔β-SiC薄膜的蓝光发射被引量：5
《Journal of Semiconductors》2003年第9期942-945,共4页张志敏 谢二庆 林洪峰 马紫微 叶凡 贺德衍 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 0 176 0 0 2 )~~
通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了 β SiC薄膜 ,用HF酸 (40 % )和C2 H5OH(99% )的混合溶液对 β SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理 ,形成了多孔 β SiC(PSC)薄膜 .利用荧光分光光度计研究了样品的光致发光 (PL)特性 ,用原子力显微镜 ...
关键词：电化学腐蚀 多孔SiC薄膜 蓝光发射 PL SEM 
Si^+注入SiO_2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第3期242-245,共4页刘世祥 刘渝珍 伍勇 石万全 陈志坚 韩一琴 刘金龙 张通和 姚德成 
将高剂量 ( 1× 1 0 17/cm2 ) Si+ 注入热氧化 Si O2 薄膜 ,在～ 5.0 e V( 2 65nm)激光的激发下 ,观测到 2 .97e V、2 .32 e V和 1 .73e V的三个光致发光 ( PL)峰 ,经快速热退火 ( RTA)处理后 ,其PL谱峰形发生变化 .本文对
关键词：硅 二氧化硅 RTA 半导体薄膜技术 
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