SI-GAAS

作品数：50被引量：23H指数：3
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LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
《稀有金属》2004年第3期540-543,共4页徐岳生 付生辉 刘彩池 王海云 魏欣 郝景臣 
国家自然科学基金 ( 60 2 760 0 9) ;中国人民解放军总装备部 ( 0 0JS0 2 .2 .1QT45 0 1);省自然科学基金 ( 5 990 3 3 )资助项目
用AB腐蚀液对SI GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB EPD :10 3～ 10 4 cm- 2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (位错密度EPD :10 4cm- 2 量级 ) ,发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响 ,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性...
关键词：LEC SI-GAAS AB-EPD 跨导 衬底 位错 PL mapping 临界值 
半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布
《稀有金属》2004年第3期544-546,共3页徐岳生 杨新荣 郭华锋 唐蕾 刘彩池 王海云 魏欣 
国家自然科学基金 ( 60 2 760 0 9) ;中国人民解放军总装备部 ( 0 0JS0 2 .2 .1QT45 0 1) ;河北省自然科学基金 ( 5 990 3 3 )资助项目
通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析。其结果表明 :碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系。高密度位错区位错...
关键词：SI-GAAS 位错 碳含量 能谱分析 
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究被引量：4
《稀有金属》2004年第3期547-550,共4页王海云 张春玲 唐蕾 刘彩池 申玉田 徐岳生 覃道志 
国家自然科学基金 ( 60 2 760 0 9) ;中国人民解放军总装备部 ( 0 0JS0 2 2 1QT45 0 1) ;河北省自然科学基金 ( 5 990 3 3 )资助项目
砷化镓 (GaAs)为第二代半导体材料 ,GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM 2 0 0 2透射电子显微镜 (TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪 (EDXA) ,对半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中微缺陷进行了研究。发现SI GaAs单晶中的微缺陷包含有...
关键词：砷化镓 半导体材料 SI-GAAS 单晶 微缺陷 小位错回线 沉淀成核中心 
一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法
《稀有金属》1998年第2期116-119,共4页周滨 杨锡权 王占国 
利用ＳＩＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性。
关键词：SI-GAAS EL2 光淬灭 补偿度 
低位错掺铟与不掺杂LEC SI-GaAs单晶生长工艺研究
《稀有金属》1990年第5期387-390,共4页刘力宾 
在微波半导体领域内,2～3英寸高迁移率、高完整性的SI-GaAs单晶是制做GaAs器件特别是GaAs IC的理想材料,但用LEC法生长的单晶位错密度较高,EPD达104～105cm-2。根据国内外的报道,现有降低LEC GaAs单...
关键词：单晶 生长工艺 SI-GAAS单晶 
水平法生长无位错掺Si-GaAs单晶
《稀有金属》1977年第2期29-35,共7页
用水平法生长成掺Si的无位错GaAs单晶。位错密度低于500厘米^(-2),电子浓度1-6×10^(13)厘米^(-3)。 水平法生长掺Si-GaAs单晶的主要困难是熔体与石英舟的沾润;其结果有二:(1)引入应力,得不到低位错的晶体;(2)易生孪晶,单晶率很低。 采...
关键词：GaAs 晶体 异质成核 晶面 面(晶体) 晶种 熔体 电器构件 石英舟 位错 晶体缺陷 水平法 温区 SI-GAAS 位错密度 成核过程 
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