SIT

作品数:269被引量:558H指数:12
导出分析报告
相关领域:医药卫生文化科学更多>>
相关作者:李思渊刘瑞喜陈刚柏松李理更多>>
相关机构:兰州大学《临床儿科杂志》编辑部南京电子器件研究所扬州大学更多>>
相关期刊:更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划湖南省自然科学基金陕西省科学技术研究发展计划项目更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=半导体技术x
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
短漂移区静电感应晶体管的特性研究
《半导体技术》2013年第3期194-198,共5页张琳娇 杨建红 刘亚虎 朱延超 
为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600~800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100~120 V的常...
关键词:静电感应晶体管(SIT) 短漂移区 势垒 I-V特性 响应时间 
静电感应晶体管高频功率参数的控制
《半导体技术》1999年第3期28-32,共5页孟雄晖 李思渊 姜岩峰 
以对静电感应晶体管(SIT)的直流参数的研究为基础,详细研究了与SIT高频性能有关的参数的控制与调节。在高频状态下,器件引线寄生电感的影响变得严重,使得对器件的封装有了新的要求,本文对这一问题也进行了探讨。
关键词:SIT 功率增益 封装 静电感应晶体管 
SIT耐压容量的控制和工艺调节被引量:4
《半导体技术》1998年第4期19-22,共4页刘瑞喜 李思渊 何山虎 
对静电感应晶体管(SIT)栅-漏、栅-源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨,对栅-源连通和栅-漏耐压的钳位问题进行了分析。
关键词:SIT 耐压 静电感应晶体管 制造工艺 
静电感应晶体管I-V特性的控制被引量:3
《半导体技术》1998年第3期14-18,共5页刘瑞喜 李思渊 
静电感应晶体管(SIT)的I-V特性(包括类三极管、类五极管以及三-五极管的混合特性)与器件的结构及参数密切相关。沟道长度lc、沟道厚度dc、比值lc/dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT工作方式的重要参数。给出...
关键词:静电感应晶体管 I-V特性 SIT 晶体管 
200kHz、75kW SIT逆变器被引量:1
《半导体技术》1996年第2期56-60,共5页孙波 李津福 章亦葵 房朝晖 姜土林 赵长汉 李家骥 张欣 
开关损耗是困扰高频大功率逆变器正常运行的关键,本文通过研究感性、容性和阻性负载性质下逆变器中SIT的开关损耗变化特点,在计算机仿真和实验研究基础上,研制成功200kHz75kWSIT谐振逆变感应加热电源。
关键词:SIT 逆变器 感应加热 
功率SIT和功率SITH的新进展被引量:1
《半导体技术》1993年第2期1-3,共3页张秀澹 
本文扼要地介绍了新型电力半导体器件SIT和SITH的研制、生产和应用的发展情况.说明SIT和SITH已从试制阶段进入实用化阶段.
关键词:半导体器件 晶体管 晶闸管 电力 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部