SIT

作品数：269被引量：558H指数：12
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L波段0.5mm SiC SIT被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第6期536-539,共4页陶永洪 柏松 陈刚 李理 李赟 尹志军 
作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0μm和1.5μm,源间距2.5μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性。0.5mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引...
关键词：L波段 碳化硅 静态感应晶体管 负载牵引 
UHF频段高功率SiC SIT被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第1期20-23,共4页陈刚 王雯 柏松 李哲洋 吴鹏 李宇柱 倪炜江 
采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高...
关键词：宽禁带半导体 碳化硅 静电感应晶体管 离子注入 
GaN肖特基SIT的Monte Carlo模拟
《固体电子学研究与进展》2007年第1期13-17,共5页郭宝增 师建英 宫娜 
河北省教育厅科研基金(批准号:2003130)资助项目
用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管(SIT)的特性,给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果。模拟得到的SIT输出特性曲线呈现非饱和特性,即类三极管特性。当VGS=0,VDS=35 V时,...
关键词：蒙特卡罗方法 静电感应晶体管 氮化镓 
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