SOI材料

作品数：103被引量：62H指数：4
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不同波长激光对绝缘体上硅材料损伤阈值的理论研究与数值分析
《应用激光》2012年第2期134-138,共5页刘晨星 张大勇 付博 李阳龙 任攀 
分析了不同波长激光辐照绝缘体上硅(SOI)材料时的相互作用机制。使用ANSYS软件热分析模块,通过有限元方法模拟得到波长分别是355、532、1064nm的激光辐照SOI材料后的温度场分布。讨论了不同波长激光辐照SOI材料表面时的自加热现象。
关键词：SOI材料 波长效应 激光损伤 
脉冲激光对绝缘体上硅材料的损伤机理研究被引量：3
《光学学报》2010年第5期1413-1417,共5页付博 张翠娟 罗飞 张大勇 申永明 刘国栋 袁永华 罗福 
绝缘体上硅(SOI)材料的激光损伤特性研究对基于该材料的光学器件在激光环境中的应用具有重要价值。本文使用1064 nm脉冲激光对SOI材料进行了辐照实验,在脉冲宽度分别为190 ps和280μs的条件下,测得的损伤阈值能量密度分别为2.5 J/cm2和1...
关键词：光学材料 SOI材料 激光损伤阈值 脉冲激光 损伤机理 
退火对SOI材料电阻率的影响
《苏州科技学院学报（自然科学版）》2008年第2期6-10,共5页程新利 
苏州科技学院基金资助项目(Z990)
在SIMOX SOI材料外延生长硅层时,存在电阻率较高的过渡层。对衬底研究表明,SOI层呈现高阻。采取不同温度对衬底进行退火,结果表明:合适的温度退火可以明显降低SOI层电阻率,对外延硅层后的SOI材料进行退火,也可以部分降低外延层电阻率,...
关键词：SOI材料 退火 电阻率 
基于SOI材料的兵器微电子技术应用分析被引量：1
《兵器材料科学与工程》2005年第3期48-53,共6页张新 高勇 王彩琳 邢昆山 安涛 
随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制。而基于SOI材料的微电子技术是能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,是国际半导体的前沿技术之一,是发展兵器装备用元器件的又一关键材料...
关键词：SOI材料 SOI结构 兵器微电子 半导体集成电路 
SOI材料中绝缘层界面处离子注入氟的SIMS剖析
《质谱学报》2005年第z1期31-32,96,共3页方培源 曹永明 
Silicon-on-insulator (SOI) is well known as "new technology of Si semiconductor IC process in 21 Contrary". Recently, SOI materials have been identified as the first choice of the semiconductor materials for fabricati...
关键词：SILICON-ON-INSULATOR SIMS FLUORINE analysis 
新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备
《功能材料与器件学报》2003年第3期300-304,共5页王启元 谭利文 王俊 郁元桓 林兰英 
国家重点基础研究规划项目(973)"系统芯片中新器件新工艺的基础研究"TG2000036506资助
异质外延法是目前制备新型SOI材料的技术途径之一。采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似SOS薄膜生长的常压CVD(APCVD)方法在EOS上外...
关键词：Si/γ-Al2O3/Si SOI材料 异质外延法 LPCVD APCVD 晶体生长 EOS 
SIMOX材料的SIMS分析
《真空科学与技术》1998年第A12期130-132,共3页马农农 刘容 
对ＳＩＭＯＸ材料进行了ＳＩＭＳ深度剖析，研究了电荷积累效应、二次离子传输效率等实验因素对测试结果的影响，氧检测的动态范围达三个量级。对国内、外的ＳＩＭＯＸ材料做了对比研究。
关键词：二次离子质谱 注氧隔离 深度剖析 硅 SOI材料 
ZMR SOI材料中的一种小平面缺陷
《东南大学学报（自然科学版）》1992年第6期18-22,共5页郑其经 
国家自然科学基金
在ZMRSOI多层复合材料中观察到一种小平面缺陷,这种缺陷是硅衬底表面在ZMR处理过程中某些局部范围内发生熔化和再结晶的结果。本文介绍了该缺陷的特征,分析了热场的温度偏差容限,提出了改进多层结构设计的意见,最后论述了衬底表面局部...
关键词：硅 再结晶 缺陷 复合材料 
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