SOI工艺

作品数：82被引量：86H指数：5
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基于CMOS SOI工艺的低插入损耗的射频开关设计被引量：1
《集成电路应用》2022年第2期1-3,共3页肖磊 
基于0.13μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种应用于LTE;DD/FDD接收发射模块的低插入损耗的单刀双掷(SPDT)射频开关电路。该电路通过使用绝缘体上硅(SOI)工艺,以及特殊的MOS器件,让设计的开关具有比传统CMOS器件拥有更好的隔离性能,同时实...
关键词：集成电路设计 SOI工艺 单刀双掷开关 输入损耗 隔离度 
华虹宏力射频技术助力未来通讯
《集成电路应用》2017年第7期57-57,共1页
移动互联网和无线通讯技术蓬勃发展，射频芯片在智能终端和消费类电子产品中的应用也愈发广泛。射频SOI工艺非常适合用于智能手机以及智能家居、可穿戴设备等智能硬件所需的射频前端芯片。
关键词：无线通讯技术 射频技术 消费类电子产品 智能终端 射频芯片 移动互联网 SOI工艺 智能家居 
5G移动通信时代的半导体产业机会被引量：6
《集成电路应用》2016年第12期69-73,共5页黄晓强 李涛 
虽然业界对5G抱有很大的期望,但是对于布置5G网络,目前还面临很多的挑战。虽然OEM和芯片厂商都在开发相关的5G产品,但5G标准尚未确定,在产业链的各环节还有许多技术问题,这些都带来新的挑战。
关键词：5G通信 半导体 功率放大器 SOI工艺 
格罗方德与芯原合作开发FD-SOI工艺
《集成电路应用》2015年第10期43-43,共1页
全球能提供Fin FET工艺的fab就是英特尔、TSMC、三星、Global Foundries（格罗方德半导体）这几家,而目前能提供相对稳定量产的就是英特尔,三星与TSMC还在纠结中。Fin FET是一个难度十分高的工艺,对稳定性要求非常高。而面对下一代的手...
关键词：SOI工艺 合作开发 芯片设计公司 TSMC FET 相对稳定 手机芯片 网络芯片 
华虹半导体推出0.2微米射频SOI工艺设计工具包
《集成电路应用》2015年第4期44-44,共1页
华虹半导体有限公司推出全新的0.2微米射频SOI（绝缘体上硅）工艺设计工具包（Process Design Kit,PDK）。这标志着新的0.2微米射频SOI工艺平台已成功通过验证,并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包（PDK）的推出可协助客户快...
关键词：SOI工艺 工艺设计 射频器件 工具包 半导体 微米 绝缘体上硅 射频前端 
华润上华200V SOI工艺实现量产
《集成电路应用》2012年第12期46-46,共1页
华润上华科技有限公司（华润微电子有限公司附属公司）近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，具有更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术，
关键词：SOI工艺 集成电路 半导体器件 高性价比 制造技术 微电子 第二代 
本土模拟IC升级,华润上华借六大特色代工平台托市
《集成电路应用》2012年第6期24-25,28,共2页殷春燕 
华润上华目前拥有高压功率模拟工艺、高精度模拟工艺、功率器件工艺、e—NVM／RF工艺、SOI工艺和MEMS六大特色模拟代工平台，正积极助力本土企业实现中高端产品线升级。
关键词：模拟IC 平台 器件工艺 SOI工艺 MEMS 本土企业 高精度 NVM 
Soitec最新应变绝缘硅技术可提高电子迁移率80％
《集成电路应用》2004年第12期50-50,共1页
法国SoireeSA公司声称面向局部耗散(partially-depleted)CM0s芯片推出业界首项不含锗(Ge)的应变绝缘硅(strained silicom-on-insulator)技术。Soiree的新型PD-sSOI工艺基于该公司的Smart Cut SOI技术，据称能将芯片设计的电子迁移率提...
关键词：电子迁移率 绝缘硅 硅技术 SOI工艺 SOI技术 芯片设计 CM SA公司 提升 法国 
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