SOI技术

作品数：107被引量：81H指数：5
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微小量程联动薄膜压力敏感芯片仿真分析
《微处理机》2021年第4期29-32,共4页任治凯 揣荣岩 张冰 杨宇新 
为顺应MEMS技术发展趋势、满足微小压力测量需求,基于SOI技术设计一种联动薄膜压力敏感结构。通过有限元软件COMSOL Multiphysics对结构进行建模仿真分析,按照仿真结果设计优化方案,确定新改进的结构参数。仿真给出所设计芯片的线性响...
关键词：微机电系统 压力敏感结构 微小量程 联动薄膜 SOI技术 非线性 
压阻式小量程SOI加速度敏感芯片设计与分析被引量：1
《仪表技术与传感器》2021年第2期28-31,40,共5页杨宇新 揣荣岩 张冰 李新 张贺 
国家自然科学基金项目(61372019);辽宁省高等学校基本科研项目(LFGD2017015)。
为满足建筑物振动监测等应用对小加速度信号测量的需求,采用带有微梁和支撑梁的敏感结构设计了一种压阻式小量程加速度传感器芯片,为弥补压阻式传感器测量小信号精度低这一不足,基于SOI技术设计了单晶硅应变电阻。利用有限元法对敏感芯...
关键词：加速度传感器 小量程 敏感微梁 过载能力 应变电阻 SOI技术 
Lattice CrossLink-NX系列低功耗FPGA开发方案
《世界电子元器件》2021年第2期39-45,共7页
Lattice公司的Cross Link-NX系列是有各种应用的低功耗FPGA,支持各种高带宽传感器和显示器接口,视频处理和机器学习推理.采用低功耗28nm FD-SOI技术,基于Lattice Nexus FPGA平台. Cross Link-NX系列组合了极为灵活的FPGA和低功耗以及高...
关键词：占位面积 机器学习 SOI技术 视频处理 FPGA平台 LATTICE Link LVDS 
压阻式小量程SOI压力敏感结构仿真分析被引量：2
《仪表技术与传感器》2019年第2期14-17,共4页揣荣岩 吕品 杨宇新 张冰 
国家自然科学基金项目(61372019)
针对小量程MEMS压力传感器存在提高灵敏度与降低非线性相互制约的问题,利用板壳理论对小量程压力敏感结构进行了仿真分析,给出了兼顾这两个相互制约技术指标的设计方法。基于SOI技术设计了小量程压力敏感结构,通过感压膜片断裂前与衬底...
关键词：压力敏感结构 小量程 灵敏度 非线性 过载 SOI技术 
意法半导体加强在超声波市场布局,推出16通道高性能脉冲发生器
《电源世界》2018年第8期11-11,共1页
BCD8s-SOI技术以最低的物料清单成本获得高品质和高性能·以独一无二的方式集成16通道波形成束技术、16个发射通道、高压输出级和内部存储器,灵活解决多平台产品设计难题.
关键词：16通道 意法半导体 脉冲发生器 市场布局 性能 超声波 SOI技术 内部存储器 
一种基于SOI技术的MEMS电容式压力传感器被引量：6
《微纳电子技术》2018年第5期345-350,共6页卞玉民 杨拥军 
利用绝缘体上硅（SOI）技术研制了一种可以用于飞行高度测量、气象环境监测和医疗等领域的高精度微电子机械系统（MEMS）电容式压力传感器。利用有限元分析软件对传感器敏感结构进行了结构建模、静力和模态仿真分析。敏感结构为敏感电...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 电容式压力传感器 高精度 绝缘体上硅(SOI) 硅-硅键合 
基于SOI技术高温压力传感器的研制被引量：11
《仪表技术与传感器》2014年第6期4-6,共3页陈勇 郭方方 白晓弘 卫亚明 程小莉 赵玉龙 
国家863计划项目(2011AA040401)
针对油气田等领域高温高压环境要求,介绍了一种高温压力传感器芯片的设计及研制,设计的高温压力传感器芯片解决了传统压阻式传感器在高温高压环境下的热稳定性问题。通过静电键合封装技术将耐高温SOI压阻芯片与玻璃片在真空环境下封装...
关键词：高温压力传感器 硅隔离 静电键合 波纹膜片 封装 
意法·爱立信推出基于FD-SOI技术的LTEmodem和应用处理器高集成平台
《单片机与嵌入式系统应用》2013年第3期87-87,共1页
意法·爱立信推出低功耗的高集成LTE智能手机平台。NovaThorTML8580ModAp是一款支持LTE多模的智能手机平台，它整合了全套的无线连接（connectivity）功能，并且拥有速率可达2．5GHz的eQuad应用处理器。
关键词：应用处理器 爱立信 SOI技术 集成平台 手机平台 无线连接 LTE 高集成 
更精密的集成电路
《新电脑》2012年第10期36-36,共1页
根据“摩尔定律”．集成电路的精密度（制程）每隔18个月就会翻一番。也就是说．晶体管的尺寸每隔一年半就会缩小50％。然而，只有改变晶体管本身的结构设计，计算芯片的制程才最终进入到30nm之内。依靠3D晶体管（Tri-Gate）技术．英特...
关键词：集成电路 SOI技术 移动芯片 晶体管 摩尔定律 结构设计 精密度 英特尔 
IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM
《中国集成电路》2009年第10期9-10,共2页
IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30％，功耗降低40％，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
关键词：嵌入式DRAM SOI技术 IBM 芯片性能 动态存储器 半导体业 SRAM 密度 
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