SOI结构

作品数：47被引量：52H指数：4
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基于SOI结构的SiGe HBT频率特性研究被引量：1
《微电子学》2006年第4期389-391,共3页戴广豪 李文杰 王生荣 李竞春 杨谟华 
基于SOI技术原理,模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性,并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析。仿真结果显示,SOI结构中埋氧层BOX的引入,可使SOI结构SiGe HBT集电极-基极电容Ccb和衬底-基极电容Csb最大降幅分别达94.7%和94....
关键词：SOI SIGE 异质结晶体管 频率特性 最高振荡频率 
晶片键合技术及其在微电子学中的应用被引量：6
《微电子学》1999年第1期44-49,共6页吴东平 黄宜平 竺士炀 
论述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法，并对键合晶片的表征技术作了介绍。最后着重介绍了晶片键合技术在微电子学领域中的应用。
关键词：集成电路 硅片直接键合 SOI结构 三维器件 
用横向固相外延在低温下形成SOI结构
《微电子学》1989年第5期78-83,共6页M.Miyao 蔡永才 
本文对用固相外延工艺在低温(550～600℃)下形成绝缘体上硅结构进行了研究。通过微探针(μ)反射高能电子衍射观察发现,固相外延(SPE)的定向晶体生长是从引晶区开始扩展的。分析了随机核化、外延对准和局部掺杂对横向固相外延(L-SPE)产...
关键词：SOI结构 固相外延 低温 
适合制作SOI结构的多孔硅技术
《微电子学》1989年第5期47-51,共5页Sylvia S.Tsao 郑闽 
SOI(绝缘体上硅)衬底适合用来制作高性能器件。在制作SOI衬底方面最有前途的技术是那些以多孔硅氧化为基础的技术。多孔硅具有一系列独特的材料性能,适用于各种不同的SOI加工技术。
关键词：多孔硅 SOI 制备 
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