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ALGAAS: 作品数：193被引量：128H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陆卫沈光地沈学础徐遵图郭霞更多>>; 相关机构：中国科学院北京工业大学南京电子器件研究所厦门大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

Demonstration and operation of quantum harmonic oscillators in an AlGaAs–GaAs heterostructure: 《Frontiers of physics》2023年第1期63-69,共7页Guangqiang Mei Pengfei Suo Li Mao Min Feng Limin Cao; Profs.Y.Zhang,J.Chen,J.Zhao,and C.Lin are greatly appreciated.M.Feng thanks financial support from the National Key R&D Program of China(Grant No.2018YFA0305802);the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences(Grant No.XD30000000);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11574364 and 11774267);L.Mao thanks financial support from the National Key R&D Program of China by the Ministry of Science and Technology of China(Grant No.2015C8932400).; The quantum harmonic oscillator(QHO),one of the most important and ubiquitous model systems in quantum mechanics,features equally spaced energy levels or eigenstates.Here we present a new class of nearly ideal QHOs fo...; 关键词：quantum harmonic oscillator AlGaAs/GaAs semiconductor heterostructure single-electron transistor gate tuning

高效率GaAsP/AlGaAs张应变量子阱激光二极管被引量：1: 《微纳电子技术》2011年第3期146-149,158,共5页白一鸣王俊陈诺夫; 国家自然科学基金项目(61006150;61076051);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB933800);北京市自然基金(2102042);中央高校基本科研业务费专项资金资助(10QG24); 从理论上设计优化了高效率808nm GaAsP/AlGaAs张应变量子阱激光二极管外延材料的量子阱结构和波导结构参数,并采用低压金属有机气相外延技术实验制备了外延材料。将制作的芯片解理成不同腔长,测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率...; 关键词：激光二极管 GaAsP/AlGaAs量子阱张应变量子阱金属有机气相外延(MOCVD) 电光效率

Realizing Zinc Blende GaAs/AlGaAs Axial and Radial Heterostructure Nanowires by Tuning the Growth Temperature被引量：1: 《Journal of Materials Science & Technology》2011年第6期507-512,共6页Jingwei Cuo Hui Huang Xiaomin Ren Xin Yan Shiwei Cai Wei Wang Yongqing Huang Qi Wang and Xi; supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CB327600);the Programme of Introducing Talent of Discipline to Universities of China(No.B07005);the National High Technology R&D Program of China(2009AA03Z405, 2009AA03Z417);New Century Excellent Talents in University(NCET-08-0736);Chinese Universities Scientific Fund(BUPT2009RC0409,BUPT2009RC0410); Vertical zinc blende GaAs/AlGaAs heterostructure nanowires were grown at different temperatures by metalorganic chemical vapor deposition via Au-assisted vapor-liquid-solid mechanism.It was found that radial growth ca...; 关键词：NANOWIRE GaAs ALGAAS HETEROSTRUCTURE Zinc blende

气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)被引量：1: 《红外与毫米波学报》2007年第1期1-4,9,共5页李华李爱珍张永刚齐鸣; Supported by the National Natural Science Foundation of China(60136010,60676026,60406008);National 973 Project of China(2006CB604903); 研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变.用Hall效应测量外延层的自由载流子浓度和迁移率,...; 关键词：气态源分子束外延 ALGAAS Si掺杂电学性质组分

具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备被引量：1: 《功能材料与器件学报》2006年第3期207-210,共4页盖红星邓军廉鹏俞波李建军韩军陈建新沈光地; 国家自然科学基金资助项目(No.60276033No.69889601);国家863高技术计划资助项目(No.2002AA312070);国家973计划资助项目(No.G20000683-02);北京市自然科学基金资助项目(No.4021001);北京市教委资助项目(No.01kJ-014); 应用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR。三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有最大反射率。应用原子力显微镜对所制备的DBR表面...; 关键词：布拉格反射镜金属有机化合物气相淀积原子力显微镜 ALGAAS

Effect of Bias Step on the I-V Curve in Double-Barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs Resonant-Tunnelling Devices: 《Chinese Physics Letters》2006年第4期960-963,共4页戴振宏倪军; Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 10404022, and the National Basic Research Programme of China under Grant No G2000067107.; We investigate the non-equilibrium electron transport properties of double-barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs resonant- tunnelling devices in nonlinear bias using the time-dependent simulation technique. It is found that the ...; 关键词：QUANTUM-WELL INTRINSIC BISTABILITY ELECTRICAL CHARACTERIZATION TRANSPORT DYNAMICS STATES RANGE

禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2005年第2期152-156,共5页周守利崔海林黄永清任晓敏; 国家"973"计划项目(2003CB314901);高等学校博士学科点专项科研基金(20020013010); 重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN)。对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAsHBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响。文中基于Jain-Roulston禁带收...; 关键词：热场发射扩散禁带变窄效应 Jain-Roulston模型

Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律被引量：6: 《Journal of Semiconductors》2005年第1期197-201,共5页董立闽郭霞渠红伟杜金玉邹德恕廉鹏邓军徐遵图沈光地; 国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 3 3和 6988960 1);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 70 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 2 );北京市自然科学基金 (批准号 :40 2 10 0 1)资助项目~~; 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出...; 关键词：VCSEL ALGAAS 湿法氧化

基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响: 《半导体光电》2004年第6期489-492,共4页周守利崇英哲黄永清任晓敏; 国家"973"计划项目 (2 0 0 3CB3 1 490 1 ) ;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目 (2 0 0 2 0 0 1 3 0 1 0 ); 　基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响。基于热场发射扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAsHBT中的电流传输特性。结果表明:为了精...; 关键词：热场发射扩散能带变窄效应 Jain—Roulston模型

考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析被引量：2: 《电子器件》2004年第4期559-563,共5页周守利崇英哲黄永清任晓敏; 国家"973"计划项目 ( 2 0 0 3 CB3 1 490 1 ) ;高等学校博士学科点专项科研基金 ( 2 0 0 2 0 0 1 3 0 1 0 ); 重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩 ,从而产生能带变窄效应 ( BGN)。对于因重掺杂 NPN突变 Al Ga As/Ga As HBT,而引起 BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果 ,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于 Jain-Roul...; 关键词：热场发射扩散能带变窄效应(BGN) 自热效应 Jain—Roulston模型

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