ALGAINP

作品数：115被引量：162H指数：6
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Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响被引量：1
《发光学报》2004年第4期375-378,共4页李述体 范广涵 周天明 王浩 孙慧卿 郑树文 郭志友 
国家科技攻关计划 ( 0 0 0 68) ;华南师范大学博士启动基金 ( 660 119)资助项目
采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。以X射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征 ,研究了Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响。研究表明 :掺Si能大大提高 (Al0 .3 Ga0 .7) 0 .5...
关键词：ALGAINP AlGaInP/GaInP多量子阱 X射线双晶衍射 Si掺杂 光致发光 
掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响被引量：1
《发光学报》2004年第4期379-382,共4页陈贵楚 范广涵 陈练辉 刘鲁 
国家科技攻关计划资助项目 ( 0 0 0 68)
在AlGaInP四元系双异质结发光二极管 (DH LED)的材料生长过程中 ,限制层的Al组分与p型掺杂浓度的确定有较大的随意性 ,这对LED的发光不利。通过分析载流子在发光二极管 (LED)双异质结中的输运情况 ,得到了在不同的p型掺杂程度下 ,限制...
关键词：ALGAINP AL组分 P型掺杂 发光效率 
掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响被引量：3
《光子学报》2004年第3期310-313,共4页陈贵楚 范广涵 陈练辉 刘鲁 
国家科技攻关计划(编号00068)基金项目
通过分析载流子在发光二极管 (LED)双异质结中的输运情况 ,得到了在不同的P型掺杂程度下 ,限制层Al组分与LED发光效率的关系 ,从而可以探索P型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律 。
关键词：A1GalnP A1组分 掺杂 发光效率 
退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度的影响被引量：1
《华南师范大学学报（自然科学版）》2004年第1期67-70,共4页李述体 范广涵 周天明 孙慧卿 王浩 郑树文 郭志友 
国家科技攻关计划资助项目(00-068);华南师范大学博士启动资金资助项目(660119)
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.相关研究表明退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5 6×1018cm-3增大到6 5×1018cm-...
关键词：半导体 光致发光 砷化镓 载流子浓度 退火 
P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的Al组分确定的影响
《华南师范大学学报（自然科学版）》2003年第3期64-68,79,共6页陈贵楚 范广涵 陈练辉 刘鲁 
国家科技攻关计划资助项目(00-068)
在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有...
关键词：双异质结发光二极管 ALGAINP AI组分 P型掺杂 金属有机化合物气相沉积 
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