周天明

作品数：15被引量：45H指数：3
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供职机构：华南师范大学更多>>
发文主题：MOCVDGAN光致发光MOCVD生长X射线双晶衍射更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
发文期刊：《光子学报》《发光学报》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技攻关计划国家科技攻关计划更多>>
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p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质被引量：4
《物理学报》2009年第5期3324-3330,共7页邢海英 范广涵 周天明 
国家自然科学基金(批准号:50602018);广东省自然科学基金(批准号:06025083);广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001);广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z12D0071);粤港关键领域重点突破项目(批准号:207A010501008)资助的课题~~
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生...
关键词：Mg Zn Si O和Mn共掺GaN 第一性原理 居里温度(TC) 磁学性质 
Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究被引量：18
《物理学报》2008年第10期6513-6519,共7页邢海英 范广涵 赵德刚 何苗 章勇 周天明 
国家自然科学基金(批准号:50602018);广东省自然科学基金(批准号:06025083);广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001);广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z12D0071);粤港关键领域重点突破项目(批准号:207A010501008)资助的课题.~~
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子...
关键词：Mn掺杂GaN 第一性原理 电子结构 光学性质 
入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响被引量：2
《量子电子学报》2007年第4期514-518,共5页郑树文 范广涵 李述体 周天明 
广州科技计划项目(2005Z1-D0071)
利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射...
关键词：光电子学 布拉格反射器 传输矩阵法 GaN基 入射介质 
氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响被引量：3
《华南师范大学学报（自然科学版）》2007年第3期69-73,共5页李述体 范广涵 周天明 孙慧卿 郑树文 
国家自然科学基金(50602018);广东省自然科学基金(06025083);广东省科技攻关计划(2006A10802001)资助项目
采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌.研究表明,GaN低温缓冲层生长之前的氮化衬底工艺对GaN外延层表面形貌、发光性能、电学性...
关键词：半导体 GAN MOCVD 光致发光 霍尔测量 
垂直沉积法在GaAs衬底上制备有序SiO_2胶体晶体被引量：2
《光电子．激光》2005年第10期1223-1226,共4页谭春华 范广涵 陈胜利 周天明 
国家"973"预演资助项目(5130702)
报道了一种利用直径为286 nm的单分散SiO2胶体颗粒制备胶体晶体的方法。乙醇悬浮中的SiO2颗粒通过毛细作用力在垂直插入其中的GaAs衬底表面自组装成胶体晶体。扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计对胶体晶体的形貌和光学特性进行...
关键词：蛋白石 胶体晶体 光子带隙 垂直沉积法 GAAS 
生长模式控制对MOCVD生长GaN性能的影响被引量：1
《华南师范大学学报（自然科学版）》2005年第4期58-62,共5页李述体 范广涵 周天明 孙慧卿 郑树文 郭志友 
国家科技攻关计划资助项目(00-068);华南师范大学博士启动资金资助项目(660119)
采用MOCVD以A l2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征.研究表明,GaN的生长模式对其电学性能和结晶性能影响很大.在高温GaN生长初期,适当延长GaN的三维生长时间,能明显改善Ga...
关键词：半导体 GAN MOCVD X射线双晶衍射 ECV 
Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性
《量子电子学报》2005年第3期436-439,共4页谭春华 范广涵 李述体 周天明 黄琨 雷勇 
广州市科技重点计划项目(1999-2-035-1)资助
低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个...
关键词：光电子学 X射线双晶衍射 金属有机化学气相沉积 量子阱 光荧光 
人工欧泊填充InP后的形貌和反射谱特性被引量：3
《光子学报》2005年第6期905-908,共4页谭春华 范广涵 许静 龙永福 李述体 周天明 黄琨 雷勇 
国家973项目预演课题(No.5130702)
制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在SiO2人工opal球体间填充了高折射率的InP晶体,选择了MOCVD生长InP的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显示,InP晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的...
关键词：光子晶体 人工欧泊 光子带隙MOCVD 
掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1159-1163,共5页李述体 范广涵 周天明 郑树文 王浩 郭志友 孙慧卿 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:00068)~~
研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5...
关键词：多量子阱 AIGaInP MOCVD Si掺杂 光致发光 
垒层Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响被引量：1
《半导体技术》2005年第2期10-12,20,共4页谭春华 范广涵 周天明 李述体 黄琨 雷勇 
广州市科技重点计划项目(1999-2-035-1)资助
低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si 量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度增强了1...
关键词：X双晶衍射 MOCVD 量子阱 光荧光 
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