黄琨

作品数：11被引量：36H指数：3
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发文领域：电子电信理学机械工程经济管理更多>>
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温度对SiO_2光子晶体模板中生长InP的影响被引量：1
《量子电子学报》2006年第6期876-880,共5页常伟 范广涵 谭春华 李述体 雷勇 黄琨 郑品棋 陈宇彬 
国家973预演课题(5130702)
制备了人工欧泊SiO_2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO_2光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响。扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在Si...
关键词：光电子学 有机金属化学气相沉积 光子晶体 人工欧泊 温度 
AlGaInN四元系氮化物分离研究
《量子电子学报》2006年第5期714-718,共5页黄琨 范广涵 刘颂豪 李述体 郭志友 
氮基四元Ⅲ-Ⅴ族化合物可用于高亮度蓝光LED和高温、大功率及高频电子器件。可以通过改变AlxGayIn1-x-yN组分的大小,得到在与衬底品格匹配的情况下不同的材料禁带宽度,但是由于在给定组分下AlGaInN难以稳定生长。所以应用价力场模型(VFF...
关键词：光电子学 相分离 价力场 AlxGayIn1-x-yN LED 
功率型白光LED的热特性研究被引量：23
《光电子．激光》2006年第8期945-947,957,共4页雷勇 范广涵 廖常俊 刘颂豪 李述体 黄琨 
国家科技攻关计划资助项目(00-068)
大功率LED照明单元在光通量提高的同时伴随着散热,且普通功率型白光LED多采用蓝光芯片激发荧光粉的方法,随着温度的提升,荧光粉对应的波长会发生漂移。本文从功率型白光LED的发热原理出发,试验了其在脉冲源作用下,用于照明的可能性。试...
关键词：白光LED 光通量 散热 脉冲源 
入射角对Al_(0.5)Ga_(0.5)As-AlAs分布布拉格反射器反射光谱的影响被引量：3
《光学学报》2006年第5期752-756,共5页郑树文 范广涵 李述体 雷勇 黄琨 
广州市科技重点计划基金(1999-035-1)资助课题
采用传输矩阵法对Al0.5Ga0.5As-AlAs材料的发光二极管分布布拉格反射器进行入射角的反射光谱研究，计算发现反射偏振光p和s随入射角的增大呈“V”形变化，在49．8°处有最小反射值。不同入射介质[以空气和限制层（Al0.7Ga0.3）0.5In0.3...
关键词：光电子学 分布布拉格反射器 传输矩阵法 Al0.5Ga0.5As-AlAs 入射角 
光子晶体的发展及制备研究被引量：2
《华南师范大学学报（自然科学版）》2006年第1期48-53,共6页常伟 范广涵 谭春华 李述体 郑树文 雷勇 黄琨 
国家973预演课题资助项目(5130702)
介绍了光子晶体的产生、发展历程和制备方法等,实验研究了采用MOCVD技术制备的InP反蛋白石结构三维光子晶体,获得了较好的填充率和结晶质量.为制备三维全带隙InP光子晶体提供了科学依据.
关键词：光子晶体 制备方法 INP MOCVD 
缓冲层用于改善硅基氮化镓外延薄膜质量被引量：1
《光电子技术与信息》2005年第5期20-25,共6页雷勇 范广涵 李述体 谭春华 黄琨 郑树文 
国家科技攻关计划资助项目(00-068)
介绍了GaN材料的基本特性及重要意义,讨论了在Si衬底上外延GaN的可取之处以及存在的主要问题。详细阐述了各种不同材料以及不同结构的缓冲层应用于MOCVD方法在Si衬底上外延GaN,及其所取得的最新成果。对缓冲层降低应力的机制进行了说明。
关键词：缓冲层 GAN SI MOCVD 
应变对Al_xGa_(1-x)N能带间隙弯曲系数和能带结构的影响被引量：1
《半导体光电》2005年第4期320-322,326,共4页黄琨 范广涵 谭春华 李述体 吴文光 李华兵 雷勇 
在生长AlxGa1-xN外延层过程中,由于外延层的热膨胀系数和晶格常数与衬底的不同,导致许多残留应变产生,这会影响外延层材料的能带结构和跃迁能。从理论上分析了在赝形应变下AlGaN的能带结构和弯曲系数,并通过对AlxGa1-xN能带间隙的理论...
关键词：ALXGA1-XN 弯曲系数 晶格常数 应变 
Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性
《量子电子学报》2005年第3期436-439,共4页谭春华 范广涵 李述体 周天明 黄琨 雷勇 
广州市科技重点计划项目(1999-2-035-1)资助
低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个...
关键词：光电子学 X射线双晶衍射 金属有机化学气相沉积 量子阱 光荧光 
人工欧泊填充InP后的形貌和反射谱特性被引量：3
《光子学报》2005年第6期905-908,共4页谭春华 范广涵 许静 龙永福 李述体 周天明 黄琨 雷勇 
国家973项目预演课题(No.5130702)
制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在SiO2人工opal球体间填充了高折射率的InP晶体,选择了MOCVD生长InP的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显示,InP晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的...
关键词：光子晶体 人工欧泊 光子带隙MOCVD 
人工蛋白石光子晶体制备技术及改性研究进展被引量：2
《激光与光电子学进展》2005年第6期12-18,共7页谭春华 范广涵 梁桂琼 黄琨 雷勇 
人工蛋白石是一种极有前途的三维光子晶体带隙材料,介绍了二氧化硅人工蛋白石光子晶体在制备方面的研究进展及其改性研究的发展现状。
关键词：研究进展 蛋白石 制备技术 人工 三维光子晶体 带隙材料 改性研究 二氧化硅 
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