CMP

作品数：980被引量：2024H指数：17
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TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应
《半导体技术》2025年第5期473-480,共8页贺斌 高宝红 霍金向 李雯浩宇 贺越 王建树 
国家自然科学基金(61704046);河北省自然科学基金(F2022202072)。
极大规模集成电路(GLSI)中多层铜互连的化学机械抛光(CMP)是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素,而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量,因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过...
关键词：化学机械抛光(CMP) 铜 缓蚀剂 表面活性剂 复配 
多层互连结构CMP后清洗中SiO_(2)颗粒去除的研究进展
《半导体技术》2025年第2期101-116,共16页张力飞 路新春 闫妹 赵德文 
国家自然科学基金(51991370,51991374)。
SiO_(2)磨料因其化学性质稳定及抛光后良好的表面平整度,作为关键磨料被广泛应用于化学机械抛光(CMP)。CMP后晶圆表面残留的颗粒物易引发划伤、击穿及短路等缺陷问题,严重削弱芯片的可靠性。基于SiO_(2)颗粒在Cu、Co和介质材料表面的吸...
关键词：互连结构 化学机械抛光(CMP)后清洗 SiO_(2)颗粒 清洗技术 清洗液化学组分 
集成电路CMP中金属腐蚀复配缓蚀剂的研究进展
《半导体技术》2025年第1期1-9,共9页武峥 牛新环 何潮 董常鑫 李鑫杰 胡槟 李佳辉 
国家重点研发计划(2023YFB3507100);国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金(62074049);河北省自然科学基金(F2021202009);河北省专业学位精品案例库建设项目(KCJPZ2023007)。
在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了...
关键词：缓蚀剂 表面活性剂 化学机械抛光(CMP) 协同作用 金属腐蚀抑制 
阴/非离子型表面活性剂对CMP后SiO_(2)颗粒的去除效果
《半导体技术》2024年第5期461-470,共10页刘鸣瑜 高宝红 梁斌 霍金向 李雯浩宇 贺斌 
国家自然科学基金(61704046)。
为了更有效地去除铜晶圆化学机械抛光(CMP)后清洗残留的SiO_(2)颗粒,选择了2种阴离子型表面活性剂(SLS、TD⁃40)和2种非离子型表面活性剂(AEO⁃5、JFC⁃6),通过接触角、表面张力、电化学、分子动力学模拟实验探究了4种表面活性剂在铜表面...
关键词：化学机械抛光(CMP) 吸附 颗粒去除 表面活性剂 复配 CMP后清洗 
复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响被引量：1
《半导体技术》2024年第4期323-329,共7页陈志博 王辰伟 罗翀 杨啸 孙纪元 王雪洁 杨云点 
国家自然科学基金(62074049)。
以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(...
关键词：复合磨料 核壳结构 层间介质 化学机械抛光(CMP) 去除速率 
聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响
《半导体技术》2024年第2期131-137,共7页李相辉 张祥龙 孟妮 聂申奥 邱宇轩 何彦刚 
国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金(F2018202133)。
在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了...
关键词：浅沟槽隔离(STI) 化学机械抛光(CMP) 二氧化硅(SiO_(2)) 氮化硅(Si_(3)N_(4)) 聚甲基丙烯酸(PMAA) 去除速率选择比 
抛光工艺参数对高纯氧化铝陶瓷基材抛光效果的影响被引量：1
《半导体技术》2024年第1期56-63,共8页姚忠樱 崔鸽 常逸文 任瑞康 任佳乐 张洪波 旷峰华 
国家自然科学基金(52032011)。
高纯氧化铝陶瓷基材广泛应用于精密电阻、微波集成电路等高端领域。为了获得具有超高平整度、纳米级表面质量的高纯氧化铝陶瓷基材,采用机械抛光(精研)与化学机械抛光(CMP)(精抛)相结合的工艺路线,系统研究了精研过程中的压力、转速、...
关键词：高纯氧化铝 机械抛光 化学机械抛光(CMP) 抛光参数 表面粗糙度 
pH调节剂在CMP工艺中的应用研究进展被引量：1
《半导体技术》2024年第1期30-38,共9页董常鑫 牛新环 刘江皓 占妮 邹毅达 何潮 李鑫杰 
国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金(62074049);河北省自然科学基金(F2021202009)。
pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CM...
关键词：PH调节剂 化学机械抛光(CMP) 抛光液 稳定性 平坦化 
PVP与TAZ复配对Cu CMP的吸附缓蚀被引量：2
《半导体技术》2023年第4期308-317,共10页马忠臣 孙鸣 李梦琦 杨雪妍 齐美玲 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金资助项目(61504037)。
采用电化学方法、表面表征和量子化学计算研究了在碱性抛光液中聚乙烯吡咯烷酮(PVP)与1,2,4-三氮唑(TAZ)复配对Cu表面的缓蚀性能,探讨了原子尺度的吸附缓蚀机理。研究表明,PVP与TAZ复配较单独使用具有更好的缓蚀性能,且吸附方式均服从La...
关键词：复配缓蚀剂 粗糙度 去除速率 吸附 化学机械抛光(CMP) 密度泛函理论 
200mm超薄硅片边缘抛光技术
《半导体技术》2023年第3期213-217,共5页武永超 史延爽 王浩铭 龚一夫 张旭 赵权 
在大尺寸硅片外延加工过程中,边缘损伤极易导致外延层位错的产生。厚度为450μm的超薄硅片因其机械强度较低,在边缘抛光过程中极易导致碎片产生。为此采用化学机械抛光(CMP)对8英寸(1英寸=2.54 cm)超薄硅片进行边缘抛光,通过优化工艺参...
关键词：边缘抛光 大尺寸超薄硅片 化学机械抛光(CMP) 边缘损伤 边缘粗糙度 
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