CMP工艺

作品数：32被引量：96H指数：6
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相关作者：陈岚徐勤志刘玉岭孙艳牛新环更多>>
相关机构：河北工业大学中国科学院微电子研究所无锡华润上华科技有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
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pH调节剂在CMP工艺中的应用研究进展被引量：1
《半导体技术》2024年第1期30-38,共9页董常鑫 牛新环 刘江皓 占妮 邹毅达 何潮 李鑫杰 
国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金(62074049);河北省自然科学基金(F2021202009)。
pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CM...
关键词：PH调节剂 化学机械抛光(CMP) 抛光液 稳定性 平坦化 
Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制
《半导体技术》2016年第12期929-932,共4页杨俊 刘洪涛 谷勋 
研究了使用不同研磨液的Cu CMP工艺对超低介电常数(ULK)薄膜介电常数k值的影响。实验结果表明经过Cu CMP工艺,ULK薄膜的介电常数k均有不同程度的增加。XPS成分分析结果表明,ULK薄膜表面C含量的增加是造成介电常数k值升高的主要原因。这...
关键词：CU CMP 超低介电常数(ULK) 介电常数k 退火 
W-Mo合金CMP工艺参数的影响与优化研究
《半导体技术》2010年第2期146-149,共4页边征 王胜利 刘玉岭 肖文明 
国家自然科学基金资助项目(10676008);河北省教育厅科学研究计划项目(2007429)
简述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金表面加工中,在实现W-Mo合金材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。针对W-Mo合金的性质,选用碱性抛光液,并采用田口方法...
关键词：W-Mo合金 化学机械抛光 田口方法 去除速率 
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