EDRAM

作品数：16被引量：7H指数：2
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面向AOSFET增益单元的存储系统功耗分析研究
《电子制作》2024年第14期36-39,10,共5页李伟 陈龙 杨业成 郑凌丰 王少昊 
近年来,数据密集型应用对存储器的存储密度和功耗等性能提出了更高的要求。传统的嵌入式缓存采用6T-SRAM和1T1C-eDRAM技术难以提升存储密度,且存在较高的背景功率。其中,6T-SRAM的背景功率主要来自晶体管的高泄漏电流,1T1C-eDRAM则主要...
关键词：AOSFET 2T0C GC-eDRAM 存储系统 仿真方法 功耗 
LGA1150最后的绝唱——Broadwell-DT处理器技术解析与性能预览
《微型计算机》2015年第19期94-99,共6页
最近，英特尔终于发布了首款面向桌面市场的Broadwell架构产品，也就是Corei7—5775C、Corei7—5775R、Corei5—5675C等五款。和上代产品相比，全新产品最引人注目的就是采用14nm工艺、Iris Pro核芯显卡以及128MB eDRAM板载缓存。那么...
关键词：处理器 新技术 性能 预览 解析 EDRAM IRIS 产品 
eDRAM的低功耗自适应动态刷新及写电压调整方案被引量：2
《复旦学报（自然科学版）》2012年第1期21-26,共6页董存霖 孟超 程宽 林殷茵 
由两个PMOS晶体管组成的增益单元构成的eDRAM核心存储单元,与逻辑工艺完全兼容且面积仅为SRAM的40%.在不增加单元面积的前提下对传统增益单元的阈值电压及版图结构进行了改进,获得了平均2～3倍的数据保持时间的提升.引入了监测单元方案...
关键词：嵌入式DRAM 增益单元 自适应动态刷新 写电压调整 低功耗 
eDRAM高速读写和紧凑式电荷转移刷新方案
《复旦学报（自然科学版）》2012年第1期33-42,共10页程宽 马亚楠 孟超 董存霖 林殷茵 
提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器(DRAM),使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷...
关键词：动态随机存储器 逻辑工艺 高速读写 紧凑式电荷转移刷新 
一种交错并行隐式刷新增益单元eDRAM设计被引量：3
《半导体技术》2011年第6期466-469,486,共5页孟超 严冰 林殷茵 
设计了一种与逻辑工艺兼容的64 kb高速高密度嵌入式增益单元动态随机存储器(eDRAM)。该存储器单元通过结构和版图的优化,典型尺寸为同代SRAM的40%。高低阈值管的引入分别改善了单元的读取速度和数据保持时间。同时交错并行隐式刷新机制...
关键词：嵌入式 增益单元 动态随机存储器 交错并行隐式刷新 数据访问率 
IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片
《微型计算机》2009年第30期13-13,共1页
由IBM一手打造32nm SOI嵌入式eDRAM存储芯片原型样品已经出炉了，这款产品自诞生之日起，就被IBM冠以了多个名号全世界体积最小、存储密度最大、速度最快的芯片内嵌动态存储设备。说到体积小，相比于芯片缓存中通常使用的SRAM，这个“...
关键词：嵌入式DRAM 存储芯片 IBM SOI 测试 EDRAM 存储密度 存储设备 
ADSP2106X扩展片外EDRAM的方法
《计算机工程与设计》2008年第5期1172-1173,1206,共3页王瑞峰 米根锁 
甘肃省自然科学基金暨中青年科技基金项目(3ZS042-B25-045)
在设计ADSP2106X的应用系统时,有时需要在其外部扩展大容量的存储器。EDRAM具有速度快、容量大的特点,因此可给ADSP2106X扩展片外EDRAM以满足应用需要。在对ADSP2106X片外存储结构、扩展外部存储器所用信号及连接方法、等待模式和EDRAM...
关键词：数字信号处理器 存储器扩展 增强型动态随机读写存储器 现场可编程门阵列 刷新 
片上eDRAM性能评价函数簇研究
《微计算机信息》2008年第5期97-98,2,共3页易立华 邹雪城 刘振林 
863国家高技术研究发展计划资助项目(2006AA01Z226)
本论文针对基于eDRAM的SOC中存储系统的性能评估问题、设计问题和可复用的eDRAM的集成技术问题进行研究,提出了一种定量的存储系统性能评估的建模方法。建立基于eDRAM存储系统评价函数簇模型,包括L(访问延迟)函数,P(功耗)函数,A(面积)...
关键词：嵌入式DRAM 评价 FPGA 函数簇 
嵌入式存储器发展现状
《中国集成电路》2007年第10期83-86,共4页薛霆 李红 
文章中简要介绍了嵌入式存储器技术发展历程。
关键词：IP SOC 存储器 EDRAM OTP MTP 嵌入式闪存 1T-SRAM 2T-SRAM 
任天堂Wii主机将采用MoSys和NEC内存技术
《程序员（游戏创造）》2006年第7期5-5,共1页孙辉（编译） 
“MoSys”和“NEC”电子公司于2006年6月19日证实，它们将分别向任天堂的“Wii”主机提供“IT—SRAM”和“eDRAM”内存技术。
关键词：内存技术 NEC 任天堂 主机 EDRAM 电子公司 SRAM 
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