FBAR

作品数：104被引量：125H指数：5
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FBAR薄膜体声波谐振器专利技术发展与分析
《科学与财富》2014年第11期77-77,共1页崔岩 
FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator）薄膜体声波谐振器作为谐振器领域的重要分支，比声表面波滤波器（SAWF）、陶瓷介质滤波器具有更高的Q值，低的损耗和在高频时具备更高的功率承受能力。由薄膜体声波谐振器组成的滤波器、双工器目...
关键词：薄膜体声波谐振器 FBAR 专利 
适用于FBAR的ZnO薄膜制备及压电特性分析
《光电子．激光》2013年第11期2150-2155,共6页苏林 杨保和 王芳 李翠萍 朱宇清 
国家高技术研究发展(863)计划(2013AA030801);天津市科技支撑计划(10ZCKFGX01200);天津市科技计划(10SYSYJC27700);天津市高等学校科技发展基金(2006BA31)资助项目
采用射频磁控溅射法在Al电极层上制备了适用于薄膜体声波谐振器(FBAR)的ZnO薄膜,研究了溅射功率对ZnO薄膜择优取向、压电响应和极化分布的影响。X射线衍射(XRD)测试结果表明,在一定范围内,随着溅射功率的增大,ZnO薄膜的择优取向和结晶...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) ZNO薄膜 溅射功率 择优取向 极化分布 压电响应力显微镜(PF M) 
FBAR用高质量AlN薄膜制备
《半导体技术》2012年第8期627-629,共3页韩东 霍彩红 邓建国 
采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,...
关键词：氮化铝薄膜 磁控反应溅射 RF偏置 薄膜体声波谐振器 (002)向 
传输矩阵法研究薄膜体声波谐振器被引量：3
《西安科技大学学报》2010年第2期251-254,共4页张涛 马宏伟 郭长立 张永元 杨华平 
国家自然科学基金资助项目(50674075;10774074);陕西省自然科学基金资助项目(2009JQ1005)
薄膜体声波谐振器(FBAR)以其工作频率高、体积小、便于集成和低插损等优良特性而得到广泛应用,对薄膜体声波器件理论设计与优化的研究成为研究热点。本文引入传输矩阵法研究薄膜体声波谐振器,利用该方法推导薄膜体声波谐振器的输入阻抗...
关键词：传输矩阵 FBAR 阻抗 谐振频率 谐振品质因数 
Preparation of AlN thin films for film bulk acoustic resonator application by radio frequency sputtering
《Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering)》2009年第3期464-470,共7页Kan LI Hao JIN De-miao WANG Yi-fei TANG 
Aluminum nitride （AlN） thin films with high c-axis orientation have been prepared on a glass substrate with an Al bottom electrode by radio frequency （RF） reactive magnetron sputtering. Based on the analysis of B...
关键词：Aluminum nitride （A1N） Piezoelectric thin film Radio frequency （RF） reactive sputtering Preferred orientation Film bulk acoustic resonator （FBAR） 
射频反应溅射制备AlN薄膜的研究被引量：1
《传感技术学报》2006年第05A期1459-1461,1465,共4页李侃 董树荣 王德苗 
国家自然科学基金资助项目(50172042)
采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜,在20W/cm2射频功率...
关键词：AIN 压电薄膜 射频反应磁控溅射 择优取向 FBAR 
高模薄膜体声波谐振器(HBAR)的研究
《传感技术学报》2006年第05B期1927-1929,共3页董树荣 王德苗 
国家自然科学基金资助项目(50172042)
高次模薄膜体声波谐振器(HBAR)具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能,在分析HBAR结构和工作模式的基础上,用MBVD模型在ADS上仿真设计了2GHz谐振频率间隔20MHz的HBAR,实验采用掩模合射频溅射制备了这种HBAR,实测谐振频率间隔22MHz...
关键词：FBAR HBAR 压电薄膜 射频反应磁控溅射 谐振频率 
FBAR用AlN薄膜的射频反应溅射制备研究被引量：7
《真空科学与技术学报》2006年第2期155-158,共4页董树荣 王德苗 
国家自然科学基金项目(NO.50172042)
采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向，获得好的（00...
关键词：ALN 射频反应溅射 FBAR 晶体结构 
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