ICP刻蚀

作品数：93被引量：215H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：龚海梅吕英唐恒敬李雪沈光地更多>>
相关机构：中国科学院厦门大学北京工业大学中国科学院大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
电感耦合等离子体刻蚀对InGaP/GaAs台面形貌的影响被引量：1
《半导体技术》2020年第3期219-223,243,共6页李碧媛 张永宏 魏育才 徐智文 蔡松智 周必顺 
制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和...
关键词：ICP刻蚀 台面形貌 Cl2/N2 INGAP/GAAS 台阶覆盖 
p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀被引量：2
《半导体技术》2018年第6期449-455,共7页钱茹 程新红 郑理 沈玲燕 张栋梁 顾子悦 俞跃辉 
p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入（GIT）型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体（SF6/BCl3和Cl2/N2/O2）及不同的刻蚀掩膜层（SiO2,Si3N4和光刻胶）对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原...
关键词：GAN 选择性刻蚀 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 ALGAN/GAN HEMT 刻蚀形貌 
ICP刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响
《半导体技术》2008年第S1期143-146,共4页邓俊静 齐胜利 陈志忠 田朋飞 郝茂盛 张国义 
采用不同条件的等离子体(O2、Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现,经O2...
关键词：感应耦合等离子体 氮空位 蓝带 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部