LPE

作品数：102被引量：129H指数：6
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GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响
《稀有金属》1997年第5期389-391,共3页李桂英 杨锡震 孙寅官 王亚非 
ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］...
关键词：位错 磷化镓 单晶 衬底 发光二极管 外延生长 
半导体碳化硅的研究现状与应用前景被引量：4
《稀有金属》1995年第3期204-210,217,共8页李玉增 
综述了碳化硅的的结构、性能与应用现状；讨论了原子层外延法生长β－ＳｉＣ薄膜及液相外延法制备蓝色α－ＳｉＣ发光管工艺，展望了半导体碳化硅材料的发展前景。
关键词：碳化硅材料(α-SiC β-SiC) 原子层外延(ALE) 蓝色发光管(LED) 液相外延(LPE) 
绿色 LED 用Φ45 mm GaP LPE 材料研制
《稀有金属》1993年第6期470-472,475,共4页李桂英 武壮文 苏小平 
GaP LPE 材料是制造 LED 的主要基础材料。GaP LED 是一种效率高、寿命长的发光显示器件,它广泛应用于国民经济的各个领域中。GaP LPE 材料的制备工艺研究具有重要社会意义。(一)实验本研究采用气相掺氮。
关键词：磷化镓 研制 LPE法 
LPE-n-In_(0.53)Ga_(0.47)As中少子扩散长度的研究
《稀有金属》1989年第6期488-491,共4页胡雨生 周柄林 杨易 陈强 
本文用表面光伏法(SPV)测定了在(100)晶向 InP 衬底上液相外延生长的晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As 外延层中的少子扩散长度。已测得的典型结果为:N_D=5×10^(15)cm^(-3),L_P=2μm;N_D=1.2×10^(18)cm^(-3),L_P=0.85μm。此外,还给出...
关键词：SPV法 INGAAS 少子扩散长度 外延层 
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