MOS

作品数：2837被引量：5069H指数：21
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新型范德华绝缘体封装的MoS_(2)晶体管性能研究
《微电子学》2023年第2期315-320,共6页袁恺 闵成彧 陈鹏堃 胡欢 黄俊 杨帆 唐昭焕 
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(614280204030317)。
以MoS_(2)为代表的二维半导体材料是下一代延续摩尔定律的潜在电子学新材料之一。然而,二维特性使得MoS_(2)中电子的输运行为对环境条件高度敏感。采用范德华绝缘体材料进行封装包覆,是目前消除二维半导体器件环境敏感性的有效方案之一...
关键词：范德华绝缘体CrOCl MoS_(2)场效应晶体管 介电层 封装材料 回滞现象 
一种全MOS高精度基准电压源电路
《微电子学》2021年第5期627-631,共5页徐全坤 李儒章 王忠焰 杨潇雨 肖渝 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802011503)。
基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度基准电压源电路。采用全MOS管实现电路,避免使用大电阻以减小芯片面积。采用新型可变电阻方法,实现了精确补偿。采用两级式基准电压源,提高了电源抑制比。使用Cadence Virtuoso对该基准电压源进...
关键词：高精度基准 高电源抑制比 低功耗 预稳压电路 
一种用于5 V电源ESD防护的双MOS触发SCR
《微电子学》2019年第3期408-412,共5页陈瑞博 陈磊 李浩亮 刘志伟 邹望辉 许海龙 
国家自然科学基金资助项目(61674055)
低电压触发的可控硅器件LVTSCR具有低触发特性,被广泛应用于静电放电(ESD)防护领域。为了避免LVTSCR在工作时发生闩锁效应和潜在失效,基于0.18μm BCD工艺,提出一种双MOS触发的DMTSCR。TCAD仿真结果显示,相比传统LVTSCR,DMTSCR具有更低...
关键词：LVTSCR 静电放电 DMTSCR 闩锁效应 触发电压 维持电压 
高电源抑制比低温度系数超低功耗基准电压源
《微电子学》2017年第3期355-358,共4页周勇 胡云斌 胡刚毅 沈晓峰 顾宇晴 倪亚波 
在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有高电源抑制比、低温度系数的全MOS型基准电压源。该电压源采用全MOS结构,不使用电阻,功耗超低。电源电压在...
关键词：低温度系数 高电源抑制比 全MOS 超低功耗 
NH_3等离子体处理钝化层致Ge MOS界面特性的改善被引量：1
《微电子学》2017年第3期429-432,共4页罗权 徐静平 刘璐 程智翔 黄勇 刘晓宇 
国家自然科学基金资助项目(61274112)
制备了以TaYON作为钝化层,以HfTiON作为高k栅介质的Ge MOS电容。研究了NH_3和N_2等离子体处理TaYON对界面特性的影响。结果表明,N_2和NH_3等离子体处理可以有效改善器件的界面及电性能,其中,NH_3等离子体处理的效果更好,可获得更高的k值...
关键词：高K栅介质 等离子体处理 表面钝化 界面层 
一种全MOS型超低功耗基准电压源设计被引量：1
《微电子学》2017年第2期164-167,共4页周勇 胡刚毅 沈晓峰 胡云斌 顾宇晴 陈遐迩 
在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围为-55...
关键词：全MOS带隙基准源 超低功耗 低温度系数 
MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究被引量：1
《微电子学》2017年第2期250-253,共4页杨尊松 王立新 肖超 宋李梅 罗小梦 李彬鸿 陆江 孙博韬 
国家自然科学基金资助项目(61404169;61404161)
通过交流电导法,对经过不同时间N_2O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究。通过电导电压曲线,分析N_2O RTP对Si-SiO_2界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影响。结论表明,MOS电容的Si-SiO_2界面陷阱密度随N_2O快速热处...
关键词：Si-SiO2界面 电导法 界面特性 辐照特性 
一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路被引量：2
《微电子学》2016年第6期801-805,共5页唐俊龙 肖正 谢海情 周斌腾 曾承伟 陈希贤 
国家科技支撑计划项目(2014BAH28F04);国家自然科学基金资助项目(61404011);湖南省自然科学基金资助项目(2015JJ3001);湖南省重点学科建设资助项目;湖南省高校科技创新团队支持计划资助项目;长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室开放基金资助项目
提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和...
关键词：预抑制 电压基准源 电源电压抑制比 温度稳定性 
权电容DAC完全响应分析
《微电子学》2016年第1期128-131,135,共5页刘佳 吕彩霞 李哲英 钮文良 
北京高等学校青年英才计划项目(YETP1773;YETP1754);北京市信息服务工程重点实验室开放课题资助项目
在考虑MOS管开关导通电阻的情况下,对权电容DAC做了复频域分析。分析结果指出,权电容DAC的输出电压信号中仅含有零状态响应,没有零输入响应。在分析中,将每个加权电容-MOS管开关作为一个独立的支路,把二进制数字信号序列作为权电容DAC...
关键词：复频域 D/A转换器 权电容 MOS 
一种高电源抑制比的全MOS电压基准源设计被引量：5
《微电子学》2015年第4期425-428,共4页唐俊龙 肖正 周斌腾 谢海情 
国家自然科学基金资助项目(61404011);湖南省自然科学基金资助项目(2015JJ3001);湖南省重点学科建设项目;湖南省高校科技创新团队支持计划资助项目
基于MOS管在亚阈值区、线性区和饱和区的不同导电特性,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种全MOS结构的电压基准源。为了改进核心电路,通过设计并优化预抑制电路,使整个电路实现了高电源电压抑制比的输出电压。对电路进行仿真,当电源...
关键词：电源电压抑制比 预抑制 基准源 
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