表面钝化

作品数：241被引量：469H指数：8
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磁控溅射碲镉汞表面钝化模拟研究
《红外》2025年第2期13-19,共7页高志富 王文 李树杰 耿松 何胤 桂希欢 左大凡 李雄军 
碲镉汞(HgCdTe)表面钝化层的化学计量比对器件性能具有至关重要的影响。通过SRIM软件模拟了Ar^(+)溅射能量和入射角度对表面钝化层化学计量比的影响。模拟结果表明,在300~500 eV能量范围内,CdTe和ZnS对Ar^(+)的核阻止本领远大于电子阻...
关键词：磁控溅射 阻止本领 表面钝化 溅射产额 择优溅射 
CdTe/ZnS膜层致密度对碲镉汞器件性能的影响研究
《红外》2024年第12期19-25,共7页徐港 戴永喜 何斌 郑天亮 王娇 
采用CdTe/ZnS双层钝化工艺对长波HgCdTe衬底进行表面钝化及工艺优化,并利用不同的工艺条件进行背面增透膜生长。通过对各工艺条件下制备的二极管器件膜层进行扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、原子力显微镜(Atomic Fo...
关键词：碲镉汞 表面钝化 背面增透 致密度 
硅基碲镉汞红外探测器表面钝化研究
《红外》2023年第8期28-33,共6页戴永喜 何斌 郑天亮 宁提 李乾 张雨竹 
国家重点研发计划资助课题(2018YFB2200301);研究生科研与实践创新计划校级项目(2021XKT1254)。
碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)材料的表面钝化是红外探测器制备中的关键工艺之一。高性能MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面。因此,探究MCT表面钝化技术具有重要意义。研究了MCT的分子束外延(Mol...
关键词：碲化镉 分子束外延 钝化 电流-电压特性 
碲镉汞薄膜表面钝化的研究进展被引量：2
《红外》2021年第9期1-13,25,共14页房诗玉 王雅荣 田志新 史继超 房永征 孙常鸿 叶振华 刘玉峰 
中国科学院红外成像材料与器件重点实验室开放基金项目(IIMDKFJJ-19-01);上海市自然科学基金面上项目(20ZR1455400)。
赝二元体系碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,Hg_(x)Cd_(1-x)Te)材料具有优异的光电特性,是制备高灵敏度红外探测器的最重要材料之一。为了获得性能优异的Hg_(x)Cd_(1-x)Te探测器及其组件,目前已经发展了各种Hg_(x)Cd_(1-x)Te材料制备...
关键词：碲镉汞 红外探测器 表面钝化 
碲镉汞表面钝化研究进展被引量：3
《红外》2021年第2期21-28,共8页戴永喜 吴立明 祁娇娇 刘世光 
国家重点研发计划项目(2016YFB0500504)。
碲镉汞(MCT)红外探测器近些年的发展非常迅速。随着相关技术的不断进步,对探测器的要求也越来越高。MCT探测器的表面对杂质、缺陷、损伤、温度等因素非常敏感,而器件的很多性能直接由其表面的性质决定,因此MCT材料表面的钝化被看成是红...
关键词：碲镉汞 红外探测器 钝化 
碲镉汞材料表面钝化研究的发展(下)被引量：4
《红外》2012年第4期7-13,共7页王忆锋 刘黎明 孙祥乐 陈燕 
碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,MCT)材料的表面钝化被认为是光导和光伏探测器制备中的关键步骤之一。实用的MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面及表面势。通过对近年来的部分英语文献进行归纳分析,介绍了MCT表面...
关键词：碲镉汞 红外探测器 表面钝化 表面处理 
碲镉汞材料表面钝化研究的发展(上)被引量：4
《红外》2012年第3期1-8,共8页王忆锋 刘黎明 孙祥乐 陈燕 
碲镉汞(Hg_1-_xCd_xTe,MCT)材料的表面钝化被认为是光导和光伏探测器制备中的关键步骤之一。实用的MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面及表面势。通过对近年来的部分英语文献进行归纳分析,介绍了MCT表面钝...
关键词：碲镉汞 红外探测器 表面钝化 表面处理 
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)被引量：1
《红外》2007年第1期17-20,共4页何波 史衍丽 徐静 
介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤．研究表明,自身阳极硫化+单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求．
关键词：HGCDTE MIS器件 表面钝化 界面电学特性 
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(上)被引量：2
《红外》2006年第12期4-9,共6页何波 史衍丽 徐静 
介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤．利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。
关键词：HGCDTE MIS器件 表面钝化 界面电学特性 
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