超浅结

作品数：24被引量：13H指数：2
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相关作者：严利人周卫黄如李超波刘朋更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所上海华力微电子有限公司清华大学更多>>
相关期刊：《质谱学报》《微电子学》《中国集成电路》《电子科技文摘》更多>>
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预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用
《半导体技术》2016年第10期764-768,共5页许晓燕 陈文杰 刘兴龙 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02013-006)
针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),二次离子质谱(SIMS),扩展电阻法(SRP)等测试对超浅结特性进行评估。结果表明,采用激光退火和碳共注入的...
关键词：预非晶化 激光退火 共注入 硼扩散 超浅结 
激光脉冲退火对40nm超浅结和pMOS器件性能的优化被引量：1
《半导体技术》2014年第11期850-854,共5页张冬明 刘巍 张鹏 
使用二次离子质谱(SIMS)和电学特性参数测量深入研究了在40 nm低功耗工艺中,激光脉冲退火(LSA)对超浅结(USJ)以及其对pMOS器件有源区和多晶硅栅方块电阻、阈值电压卷曲曲线和本征特性曲线的影响。从SIMS结果可以看出,LSA由于其作用时间...
关键词：激光脉冲退火(LSA) 超浅结(USJ) 二次离子质谱(SIMS) 卷曲曲线 本征 特性曲线 
等离子体浸没离子注入技术与设备研究被引量：2
《半导体技术》2010年第7期626-629,共4页刘杰 汪明刚 杨威风 李超波 夏洋 
国家自然科学基金资助项目(60727003);国家重大专项项目(2009ZX02037)
基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了...
关键词：等离子体浸没离子注入 超浅结 感应耦合 线圈结构 脉冲偏压电源 
用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析(英文)
《半导体技术》2010年第1期39-42,89,共5页徐翠芹 Popadic Milos Nanver L.K. 茹国平 
Shanghai-Applied Materials Research Development Fund(07SA06)
研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(xn0)的情况下计算p区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺...
关键词：双边结 电容-电压 超浅结 
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