超深亚微米

作品数：87被引量：168H指数：5
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超深亚微米物理设计中天线效应的消除被引量：5
《半导体技术》2012年第6期429-432,共4页张智胜 吴秀龙 
安徽省教育厅重点科研项目(KJ2010A022)
分析了超深亚微米物理设计中天线效应的产生机理以及基于超深亚微米工艺阐述了计算天线比率的具体方法。同时,根据天线效应的产生机理并结合时钟树综合提出了消除天线效应的新方法。此方法通过设置合理的约束进行时钟树综合,使得天线效...
关键词：超深亚微米 天线效应 时钟树综合 时序 布局布线 
130nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应被引量：2
《半导体技术》2010年第1期46-49,93,共5页陈超 吴龙胜 韩本光 方勇 刘佑宝 
国家部委基金项目(51308010608)
研究了同一p阱内两个130nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nm NMOS管。研究了在有无p+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电...
关键词：电荷共享 超深亚微米 器件模拟 单粒子辐射 寄生双极管效应 
VDSM集成电路互连特性及RC延迟研究被引量：1
《半导体技术》2008年第1期68-72,共5页邝嘉 黄河 
国家自然科学基金资助项目(60076013)
利用多层金属导体寄生电容模型，详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电器的影响．并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC互连延迟进行估计。结果表明，当金属导线的纵横比接近2时，线间耦舍电容对互连总电容的影响将占主...
关键词：超深亚微米 寄生电容 互连 时间延迟 
抑制亚微米NMOS穿通效应的Taurus WorkBench——TCAD优化
《半导体技术》2004年第9期12-14,29,共4页李静 李惠军 
Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台。在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的阈值电压及源漏穿通电压为响应变量,采用DOE方法进行仿真,并以仿真结果阐述了注入剂量及注入能量对阈值...
关键词：TAURUS WORKBENCH 超深亚微米 TCAD NMOSFET 阈值电压 穿通效应 
芯片设计中串扰噪声的分析与改善被引量：3
《半导体技术》2004年第1期56-59,共4页周平 戴庆元 
集成电路设计进入了超深亚微米领域,金属层增加,线宽减小,使电路的性能和密度都得到了很大的提高,但也引入了愈来愈严重的互连线效应,并最终引发了信号完整性问题。在这其中,串扰噪声是一个关键的问题。本文探讨了噪声产生机制并进行定...
关键词：集成电路设计 超深亚微米 互连线效应 信号完整性 串扰噪声 
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