垂直腔

作品数：721被引量：1158H指数：13
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垂直腔面发射激光器DBR的生长优化被引量：3
《半导体光电》2022年第2期332-336,共5页许晓芳 邓军 李建军 张令宇 任凯兵 冯媛媛 贺鑫 宋钊 聂祥 
基于能带理论和分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,分析了垂直腔面发射激光器(VCSEL)中DBR串联电阻较大的原因。采用组分渐变降低DBR结构中异质结界面处势垒,优化DBR的各层掺杂浓度,通过调控费米能级进一步降低DBR中的异质结势垒,从而有...
关键词：795 nm垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 串联电阻 渐变生长 MOCVD 
795nm单偏振稳定垂直腔面发射激光器的研究被引量：1
《半导体光电》2019年第4期489-493,共5页梁津 关宝璐 胡丕丽 张峰 董晨 王菲 王志鹏 
北京市教委项目(PXM014204500018,PXM014204500024);国家自然科学基金项目(61575008,60908012,61376049,61076044,61107026,61204011);北京市自然科学基金项目(4132006,4102003,4112006,4172011)
基于非对称氧化技术,引入氧化孔径横向光场损耗各向异性,使得TE/TM偏振光功率差进一步增加,TM偏振得到有效抑制,从而实现795nm垂直腔面发射激光器单偏振稳定输出。实验结果显示:当氧化孔径为7μm×5.5μm时,不同温度下偏振抑制比均在10d...
关键词：垂直腔面发射激光器 单偏振 非对称氧化孔 湿氮氧化 
湿法腐蚀和干法刻蚀工艺对850nm VCSEL高速调制性能的影响
《半导体光电》2017年第6期826-829,共4页董建 何晓颖 胡帅 何艳 吕本顺 李冲 郭霞 
国家自然科学基金项目(61335004);国家"863"计划项目(2015AA017101)
垂直腔面发射激光器(VCSEL)以其低功耗、低阈值电流、高调制速率和易制作二维阵列器件等特点,广泛应用于短距离光互连领域。湿法腐蚀和干法刻蚀作为高速VCSEL台面结构制备的两种工艺,影响VCSEL氧化层的大小。文章研究了氧化层面积对寄...
关键词：垂直腔面发射激光器 高速调制 湿法腐蚀 干法刻蚀 
980nm垂直腔面发射激光器的外延生长被引量：3
《半导体光电》2015年第1期38-41,共4页崔明 韩军 邓军 李建军 邢艳辉 陈翔 朱启发 
国家自然科学基金项目(61204011);国家自然科学基金项目(61107026);北京市教委基金项目(KM201210005004);北京市自然科学基金项目(4112006)
模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱,采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980nm的垂直腔面发射激光器,制作了氧化孔径为14μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件,其阈值电流为3.3mA,阈值电压为1.8V,斜率效率为0.387...
关键词：量子阱 金属有机物化学气相沉积 氧化限制型 
1．55μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计被引量：1
《半导体光电》2014年第1期39-42,共4页王志燕 贾护军 毛周 李泳锦 成涛 裴晓延 孙哲霖 
国家部委基金项目(51323030306)
设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱...
关键词：垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 谐振腔 -3 dB带宽 
垂直腔面发射激光器DBR的优化设计被引量：4
《半导体光电》2013年第2期190-192,共3页李鹏飞 邓军 陈永远 杨立鹏 吴波 徐晨 
国家"863"计划项目(2008AA03Z402);国家自然科学基金项目(61076044)
模拟分析了垂直腔面发射激光器分布布拉格反射镜铝组分不同分布对价带的影响,并对两种不同结构的器件进行了测试,测试结果表明抛物线渐变结构可以有效降低价带的势垒,进而可以改善垂直腔面发射激光器的电流热效应,为实现室温连续工作打...
关键词：渐变布拉格反射镜 价带势垒 DBR电阻 
一种850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器的设计被引量：1
《半导体光电》2013年第1期56-58,共3页丁锋 张靖 王品红 田坤 赵开梅 
采用PICS3D软件建立了850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)的仿真模型,通过优化量子阱有源区的阱和垒的个数、合理选取分布式布拉格反射镜(DBR)的材料以及对数,设计了一种850nm氧化限制型VCSEL。在10μm氧化孔径下,与商用的850nm...
关键词：垂直腔面发射激光器 量子阱 氧化孔径 阈值电流 斜率效率 
反谐振反射光波导型VCSEL侧向辐射损耗的分析
《半导体光电》2011年第6期769-772,共4页魏晓航 邓军 徐晨 苗霈 毛明明 李建军 韩军 
国家自然科学基金资助项目(61076044)
使用柱坐标的传输矩阵法计算并分析了在反谐振反射光波导(ARROW)型垂直腔面发射激光器(VCSEL)中,不同的第一包裹层厚度对应的基模和一阶横模的侧向辐射损耗。与传统平板近似的方法相比,该方法更为精确地计算出了损耗的值,同时更为详细...
关键词：激光器 侧向辐射损耗 传输矩阵法 反谐振反射光波导 垂直腔面发射激光器 
808nm网状电极高功率垂直腔面发射激光器
《半导体光电》2011年第6期781-784,897,共5页冯大伟 袁中朝 冯源 郝永芹 
为改善高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流注入均匀性,提高光束输出质量和器件的输出功率,设计并研制出808nm高功率网状电极VCSEL。将VCSEL P面的注入电极由传统的环形结构改为网状结构并且热沉位于N面电极。实验制备了出光孔径同为50...
关键词：垂直腔面发射半导体激光器 网状电极 高功率 近场发光均匀性 
用于空间光互连的850nm VCSEL 4×4阵列的热场模拟被引量：1
《半导体光电》2010年第1期96-100,共5页田坤 朱少立 王品红 周玉红 
作为空间光互连系统的发射部分,垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列的热特性直接影响到光互连系统的稳定性。建立了850nm VCSEL 4×4阵列的热场数学模型,并利用有限差分法求解热传导和热扩散方程,得出了在VCSEL单元工作电流为10mA时阵列...
关键词：光互连 垂直腔表面发射激光器 热扩散方程 有限差分法 
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