存储器技术

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存储器技术的新进展被引量：2
《集成电路应用》2020年第3期10-12,共3页张卫 
上海经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项资金（1800505）
描述集成电路国际主流技术的发展方向,分析集成电路先进技术的发展趋势。包括NAND型存储器和新原理存储技术(磁阻存储技术MRAM、阻变存储技术RRAM)的阐述。
关键词：集成电路 半导体 存储器件 
半导体存储器技术被引量：4
《科技导报》2019年第3期62-65,共4页刘明 
半导体存储器是市场份额最大的单一集成电路产品,广泛应用于信息、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究等领域,有着巨大的市场。概述了DRAM和闪存、新型非易失存储器的发展现状及课题组在存储器领域的相关进展。
关键词：易失存储器 非易失存储器 3D NAND RRAM 
基于高密度存储器技术发展与应用的探索
《数码世界》2017年第11期451-451,共1页胥日升 
高密度存储器技术就是可以在一个存储单元中储存很多大容量的数据资料。在这个社会经济发展迅猛的时代,高密度存储技术也被推动着发展和进步。为了适应当前的市场运用情况以及存储技术的发展情况,还需要作为高中生的我们尽量学好各个科...
关键词：高密度 存储器技术 发展 应用探索 
先进集成电路技术发展现状分析被引量：1
《集成电路应用》2017年第9期22-27,共6页张卫 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2016.160505)
集成电路技术到22/20 nm节点,世界技术先进厂商和技术研究机构出现了分歧,如Intel率先采用Fin FET技术,而TSMC继续沿用平面体硅技术。未来,在摩尔定律的主旋律下,国际主要集成电路企业技术发展路线在各个节点不尽相同,各显神通。在半导...
关键词：集成电路技术 22/20 NM FINFET 平面体硅 存储器技术 3D NAND 
3D XPoint的强劲对手之二 超级MRAM存储器技术全解析
《微型计算机》2017年第12期99-104,共6页丁泰勇 
在本刊今年2月上的《3D XPoint的强劲对手——超级NRAM存储器技术全解析》—文中，详细解读了存储器的原理和NRAM的特性，并简单介绍了几种正在研发的新一代非易失性存储器。当时提到了NRAM和MRAM的对比，但并未详细介绍MRAM。现在，初...
关键词：非易失性存储器 MRAM 3D 解析 技术 256Mb 存储芯片 接口规范 
3D XPo-nt的强劲对手 超级NRAM存储器技术全解析
《微型计算机》2017年第6期88-93,共6页徐少卿 
近来，随着DRAM技术的瓶颈已经可以预期，以及易失性存储器的断电丢失数据的特性，很多厂商和研发机构都在试图设计出一种全新的存储器，希望能够在性能上有一定提升的同时，彻底改善目前系统主要缓存的易失性特性，甚至向下替代SSD、HD...
关键词：存储器 技术 3D 解析 DRAM 丢失数据 研发机构 图设计 
非易失半导体存储器技术被引量：3
《光学与光电技术》2016年第5期6-9,共4页刘明 
非易失存储器是集成电路最重要的技术之一,广泛应用于信息、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究的各个领域,有着巨大的市场。目前主流的非易失存储技术——基于浮栅结构的"闪存",尺寸微缩已接近其物理极限,难以继续提高其存储密度...
关键词：非易失存储器 闪存 电荷俘获存储器 阻变存储器 
高密度存储器技术发展与应用浅谈被引量：1
《河南科技》2015年第21期7-8,共2页鲍旭恒 吴艳艳 
高密度存储技术指的是能在一个存储单元中存储多个值以实现大容量数据的存储器及其相关技术,本文着眼于市场应用前景和产业发展趋势,简单分析了磁性随机存取存储器、电阻随机存取存储器中高密度存储器技术的发展与应用。
关键词：高密度 随机 存储 磁性 电阻 
三维阻变存储器技术专利申请分析
《中国新通信》2015年第10期82-83,共2页陈敏 邢白灵 
在各种新型非易失性存储器中,阻变存储器RRAM具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,具有成为下一代存储器的潜力,受到广泛的关注。本文介绍了RRAM技术的基本情况,结合三维RRAM相关的专利申请数量对...
关键词：三维阻变存储器 RRAM 专利 
中星微电子投产采用Kilopass嵌入式非易失性存储器技术的PC-CAM处理器
《电子与电脑》2011年第4期101-101,共1页
半导体逻辑非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）供应商Kilopass科技公司，和致力于设计先进混合信号多媒体产品和解决方案的多媒体半导体和解决方案领先提供商中星微电子公司联合宣布，中星微电子将在一系列笔记本PC摄像头处理器中采用...
关键词：非易失性存储器 中星微电子公司 处理器 嵌入式 pass公司 多媒体产品 技术 投产 
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