梅增霞

作品数：8被引量：54H指数：3
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供职机构：北方交通大学理学院光电子技术研究所更多>>
发文主题：ZNO薄膜发光特性ZNO激子光致发光更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
发文期刊：《光学学报》《功能材料》《光子学报》《光谱学与光谱分析》更多>>
所获基金：高等学校骨干教师资助计划国家自然科学基金更多>>
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ZnO薄膜受激发射特性的研究被引量：8
《光谱学与光谱分析》2003年第3期461-464,共4页梅增霞 张希清 王志坚 王晶 李庆福 徐叙瑢 
高等学校骨干教师资助计划 (2 0 0 0 668)资助项目
氧化锌薄膜因其大的激子结合能和强的光发射、激光阈值低和能在高温下工作等优点而成为制备短波长激光、发光二极管等光电子器件的有希望材料。采用激光分子束外延 (L MBE)方法制备了ZnO薄膜。在室温下 ,测量了样品的吸收光谱 ,以及不...
关键词：ZNO薄膜 受激发射 氧化锌 自发发射 激光脉冲 阀值 
ZnO薄膜制备及其发光特性研究被引量：3
《光电子．激光》2002年第11期1116-1119,共4页王晶 张希清 梅增霞 黄世华 徐征 
用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响。通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度...
关键词：ZNO薄膜 制备 发光特性 磁控溅射 光致发光 氧化锌 半导体化合物 
ZnO薄膜的制备和发光特性的研究被引量：33
《发光学报》2002年第4期389-392,共4页梅增霞 张希清 衣立新 韩建民 赵谡玲 王晶 李庆福 
高等学校骨干教师资助计划资助项目(2000668)
用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜。在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响。从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,...
关键词：制备 ZNO薄膜 光致发光 溅射 氧化锌薄膜 半导体材料 
CdSe/CdZnSe超晶格的激子光学性质的研究被引量：3
《光学学报》2002年第1期114-117,共4页张希清 梅增霞 段宁 徐征 王永生 徐叙瑢 Tang Z K 
国家自然科学基金;高等学校骨干教师资助计划基金资助课题
用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe Cd0 .65Zn0 .3 5Se超晶格结构。利用X射线衍射 (XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe CdZnSe超晶格结构和激光复合特性 ,在该材料中观测到激子激子散射发射峰 ,...
关键词：光学性质 激子 超晶格 CdSe/CdZnSe 硒比镉 锌镉硒 半导体 
ZnS:Mn摩擦发光特性的研究被引量：6
《光谱学与光谱分析》2001年第6期766-768,共3页梅增霞 张希清 姚志刚 韩建民 李家泽 
国家自然科学基金 (6960 60 0 1 );高等学校骨干教师资助计划 (2 0 0 0 668)
本文报道了ZnS :Mn具有良好摩擦发光性能。研究了ZnS :Mn发光中心Mn2 + 及其含量以及样品的灼烧温度、灼烧时间等条件对样品发光特性的影响。优化浓度配比和制备条件制备出了较高摩擦发光效率的ZnS :Mn摩擦发光材料。摩擦发光机理可能...
关键词：摩擦发光 ZNS MN 硫化锌 锰 掺杂 摩擦发光材料 发光效率 
CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究被引量：1
《物理学报》2001年第6期1167-1171,共5页张希清 梅增霞 段宁 徐征 王永生 徐叙瑢 Z.K.Tang 
国家自然科学基金;高等学校骨干教师资助!计划基金资助的课题&&
用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe CdMnSe多量子阱结构 .利用X射线衍射 (XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性 .讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射...
关键词：DdSe/CdMnSe 多量子阱 光学性质 激子 分子束外延生长 X射线衍射 光谱分析 Ⅱ-Ⅵ族半导体 
CdTe/CdMnTe多量子阱的生长和激子复合动力学性质的研究
《功能材料》2001年第3期275-276,共2页张希清 梅增霞 段宁 ZK Tang 
国家自然科学基金;中国科学院激发态物理开放研究实验室基金赞助
用分子束外延在ＧｅＡｓ衬底上生长了 ＣｄＴｅ／Ｃｄ０．８Ｍｎ０．２多量子阱结构。利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、低激发密度下的ＰＬ光谱和变密度激发的 ｐｓ时间分辨光谱研究了 ＣｄＴｅ／ＣｄＭｎＴｅ多量子阱的结构和激子复合特性...
关键词：CdTe/CdMnTe 量子阱 激子复合 动力学 半导体 
ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长和激子光学性质的研究
《光子学报》2001年第2期152-155,共4页张希清 梅增霞 段宁 Tang ZK 
国家自然科学基金! (批准号 6960 60 0 1 );中科院激发态物理开放实验室基金;高等学校骨干教师资助计划项目
用分子束外延在 Ga As衬底上生长了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构 .利用 X射线衍射 ( XRD)、变温度 PL光谱和 ps发光衰减等研究了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构和激子复合特性 .由变温 PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率...
关键词：激子 分子束外延 ZnCdSe/ZnSe多量子阱 自由激子发光 变温PL光谱 X射线衍射 XRD 
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