胡加辉

作品数：5被引量：8H指数：2
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供职机构：深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室更多>>
发文主题：GANSISIMOCVDMOCVD生长更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《发光学报》《人工晶体学报》《稀有金属》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：深圳市科技计划项目广东省粤港关键领域重点突破项目国家高技术研究发展计划更多>>
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Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1577-1581,共5页朱军山 徐岳生 郭宝平 刘彩池 冯玉春 胡加辉 
广东省关键领域重点突破基金资助项目(批准号:2B2003A107)~~
利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响,并提出利用动力学模型解释...
关键词：MOCVD GAN 缓冲层 
Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触被引量：2
《发光学报》2005年第6期757-760,共4页冯玉春 张建宝 朱军山 杨建文 胡加辉 王文欣 
深圳市科技计划项目(2002-K1-65);广东省关键领域重点突破(2B2003A107)资助项目
通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触...
关键词：p型氮化镓 Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO) 欧姆接触 
过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响
《人工晶体学报》2005年第5期907-910,897,共5页冯玉春 胡加辉 张建宝 王文欣 朱军山 杨建文 郭宝平 
863计划引导项目(No.2004AA0011034);广东省关键领域重点突破项目(No.ZB2003A07);深圳市科技计划项目(No.2002-K1-65)
为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入...
关键词：SI(111) CAN ALN ALGAN 
Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长被引量：3
《发光学报》2005年第4期517-520,i0002,共5页胡加辉 朱军山 冯玉春 张建宝 李忠辉 郭宝平 徐岳生 
深圳市科技计划项目(2002-K1-65);广东省关键领域重点突破项目(2B2003A107)资助项目
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致...
关键词：氮化镓 SI(111) 金属有机化学气相沉积 双晶X射线衍射 
双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究
《稀有金属》2005年第2期236-238,共3页朱军山 胡加辉 徐岳生 刘彩池 冯玉春 郭宝平 
深圳市科技计划项目 (2 0 0 2 K1 65 ) ;广东省关键领域重点突破项目 (2B2 0 0 3A10 7)
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果...
关键词：SI(111) GAN 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 双晶X射线衍射(DCXRD) 
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