陈建才

作品数:6被引量:9H指数:2
导出分析报告
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文主题:液相外延液相外延生长LPEHG1-XCDXTE薄膜生长更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《红外》《红外技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
n-on-p锑化铟薄膜的液相外延生长
《红外技术》2016年第7期577-580,共4页李忠良 陈建才 叶薇 李增寿 刘世能 
用水平开管液相外延技术在锑化铟衬底上用富铟锑化铟母液生长锑化铟薄膜材料,薄膜材料具有n-on-p结构,衬底为p型层,掺Ge,浓度1×10^(15)~5×10^(16) cm^(-3);薄膜为n型层,掺Te,薄膜面积20 cm×25 cm,厚度2~3μm,表面平整度±0.2μm,浓度...
关键词:n-on-p 锑化铟 液相外延 
液相外延用碲镉汞母液晶锭的组分均匀性
《红外》2011年第3期19-22,共4页陈建才 孔金丞 马庆华 
开展了液相外延用碲镉汞母液晶锭的合成工艺优化研究。通过优化合成温度、合成时间、摇炉速率和淬火工艺,有效提高了碲镉汞晶锭的纵向组分均匀性。用改进工艺后合成的碲镉汞母液晶锭生长了28个外延薄膜样品,其组分平均偏差为0.95%,满足...
关键词:液相外延 碲镉汞母液 组分均匀性 
液相外延HgCdTe薄膜组分的均匀性被引量:2
《Journal of Semiconductors》2005年第3期513-516,共4页马庆华 陈建才 吴军 孔金丞 杨宇 姬荣斌 
利用水平推舟液相外延法,以CdZnTe作为衬底,固态HgTe作为Hg补偿源,从富Te HgCdTe溶液中外延生长大面积 HgCdTe 薄膜.通过选择合适的温度和生长速率,获得了组分均匀性和重复性较好的大面积长波HgCdTe薄膜.
关键词:液相外延 HGCDTE 组分均匀性 
高质量HgCdTe薄膜的液相外延生长被引量:4
《红外技术》2005年第1期42-44,共3页马庆华 陈建才 姬荣斌 杨宇 
用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外廷(LPE)方法在碲锌 镉(Cd1-yZnyTe,y=0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x=0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件 得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜。...
关键词:液相外延生长 红外焦平面器件 碲镉汞 衬底 CDTE薄膜 高质量 长波 固态 表面形貌 薄膜材料 
碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量
《红外技术》2003年第6期42-44,48,共4页黄晖 李亚文 马庆华 陈建才 姬荣斌 
详细说明了用微波反射光电导衰减 (μ PCD)测量碲镉汞材料 (MCT)中少数载流子寿命的原理。μ PCD系统对样品少数载流子寿命的测量范围为 2 0ns至 3ms,测量温度可以从 80K到 32 5K变化 ,整个系统的测量由计算机控制自动进行 ,可以对样品...
关键词:微波反射光电导衰减 碲镉汞材料 少数载流子 寿命测量 红外焦平面列阵 
碲镉汞的液相外延生长被引量:5
《Journal of Semiconductors》2001年第5期613-617,共5页黄仕华 何景福 陈建才 雷春红 
昆明理工大学(原云南工业大学 )校立基金资助项目! (编号为 980 10 )&&
设计了一种使用良好的石墨舟 ,建立了一套能进行开管液相外延的系统 ,并利用此系统在 Cd Zn Te衬底上和在富 Te的生长条件下生长了不同 x值的 Hg Cd Te外延薄膜 .通过对外延生长工艺的控制 ,外延薄膜的表面形貌有很大的改善 ,残留母液...
关键词:碲镉汞 液相外延生长 开管液相外延系统 半导体材料 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部