高炜祺

作品数:11被引量:16H指数:3
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供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题:电路DAC熔丝熔断ADC更多>>
发文领域:电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
发文期刊:《激光与红外》《环境技术》《空间电子技术》《微电子学》更多>>
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一种可实现非均匀校正和盲元补偿的像元ADC被引量:4
《激光与红外》2021年第7期938-943,共6页曾岩 黄文刚 马敏舒 高炜祺 
像元ADC可将红外探测器的电流信号直接转换成对应数字量,在像元阵列之间以数字的方式进行传输和最终输出。本文设计了一种可实现非均匀校正和盲元补偿算法的像元级ADC,避免了在算法级进行非均匀校正和盲元补偿的方式,降低了后续图像处...
关键词:焦平面阵列 像元数模转换器 非均匀校正 盲元补偿 
一种抗辐照加固高压DAC的设计
《空间电子技术》2021年第3期49-52,共4页苏晨 雷郎成 高炜祺 
高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等。通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、NMOS管环栅设计、栅氧工艺优化等方法,而很少分析辐照条件下,电压和电路结构对MOS管阈值和漏电的影响。...
关键词:高压DAC MOS管阈值 NMOS管环栅 总剂量辐照 
某模/数转换器低温下输出异常失效分析被引量:1
《环境技术》2021年第2期129-133,共5页白璐 朱恒静 高炜祺 
近些年来,关于电子元器件的失效分析的研究正变得越来越重要。通过电子元器件的失效分析,不仅可以发现设计与工艺制造的问题,且从中获取的经验还可以在相似产品上得到应用,避免后续相同或相似问题再次发生,使得同类产品可靠性得以提升...
关键词:模/数转换器 低温 失效分析 
一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析
《空间电子技术》2019年第2期79-82,共4页高炜祺 刘虹宏 
对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO_2中产生电子-空穴对,以及γ射线作用在SiO_2-Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射...
关键词:高压PMOS器件 低剂量辐照 PMOS版图 漏源击穿电压 
一种新型电压电流混合加权12位DAC被引量:1
《微电子学》2018年第4期443-447,共5页刘虹宏 陈隆章 高炜祺 万辉 
设计并实现了一种双路12位电压输出型数模转换器(DAC)。采用"10+2"分段式结构,高10位采用开关树电阻串DAC架构,保证了DAC良好的单调性。低2位采用电流舵DAC架构,从整体上减小了DAC的面积。12位DAC未经修调即可实现12位转换精度。该DAC采...
关键词:数模转换器 轨轨输出缓冲 内部基准 
一种具有大电流驱动能力的低温漂带隙基准电压源被引量:2
《微电子学》2017年第4期461-464,共4页尹洪剑 万辉 高炜祺 
基于XFAB 0.6μm CMOS工艺,设计了一种具有大电流驱动能力的低温度系数带隙基准电压源。通过设置不同温度系数的电阻的比值,实现带隙基准的2阶曲率补偿。采用新的电路结构,使基准源具有驱动10 m A以上负载电流的能力。经过Hspice仿真验...
关键词:带隙基准 曲率补偿 电流驱动 
一种非校正14位CMOS A/D转换器
《微电子学》2008年第3期404-406,410,共4页高炜祺 蒲佳 舒辉然 
设计了一种高精度A/D转换器电路。为了提高匹配精度,内部DAC采用一种电容DAC的新型分段结构;通过版图设计优化,可在不进行数字校正的情况下达到14位的分辨率,最大程度地减小了设计复杂性和功耗。整体电路采用0.6μm标准CMOS工艺线进行...
关键词:逐次逼近 A/D转换器 分段结构 CMOS 
一种基于新型寄存器结构的逐次逼近A/D转换器被引量:3
《微电子学》2006年第3期337-339,343,共4页张红 高炜祺 张正璠 张官兴 
介绍了一种10位CMOS逐次逼近型A/D转换器。在25kSPS采样频率以下,根据模拟输入端输入的0~10V模拟信号,通过逐次逼近逻辑,将其转化为10位无极性数字码。转换器的SAR寄存器结构采用了一种新的结构来实现D触发器。该转换器采用3μmCMO...
关键词:A/D转换器 逐次逼近 寄存器 
混合型高分辨率高速A/D转换器用的铝合金封装
《电子与封装》2001年第1期24-25,共2页曾大富 高炜祺 
众所周知,现代先进的电子系统中都广泛应用 A/D 或 D/A 来改善数字处理技术的性能,而混合集成的 A/D 转换器,在动态特性要求高的应用场合,有着广阔的使用前景。高分辨率、高速 A/D 转换器,在封装上有特殊要求,传输延迟,串扰,散热,特性...
关键词:模数转换器 铝合金封装 混合集成 
铝外壳密封激光焊接技术探讨被引量:5
《微电子学》1997年第3期202-205,共4页曾大富 高炜祺 白景成 
对采用激光焊接技术密封铝合金外壳实验中出现的问题,如铝表面对激光束的反射,接头坡口的几何形状要求,保护气体的种类与流量,焊接参数选择以及焊接时焊缝产生的裂纹和气孔等,进行了探讨。结果发现,对于L3型铝外壳,选用正确的...
关键词:半导体制造 封装 电路组装 激光焊接 
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