刘艳青

作品数：8被引量：31H指数：4
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供职机构：北京科技大学更多>>
发文主题：金刚石膜MPCVD高功率过渡层金刚石涂层更多>>
发文领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊：《中国材料进展》《功能材料》《电子元件与材料》《人工晶体学报》更多>>
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MPCVD金刚石膜的品质对其在K-Ka波段微波介电性能的影响
《电子元件与材料》2017年第4期32-36,共5页刘艳青 丁明辉 苏静杰 李义峰 唐伟忠 
国家磁约束核聚变能专项资助(No.2013GB110003)
针对MPCVD金刚石膜K-Ka波段(18～40 GHz)微波电子器件领域的应用需求,以及探索金刚石膜介电性能与品质之间的关系的需要,制备了5个金刚石膜样品,并建立了一套K波段分体圆柱谐振腔微波介电性能测试装置。使用Raman光谱表征金刚石膜质量,...
关键词：MPCVD金刚石膜 拉曼光谱 品质 分体圆柱谐振腔 介电性能 K-Ka波段 
强电流直流伸展电弧法制备硬质合金微型工具的SiC过渡层和金刚石涂层
《功能材料》2013年第8期1172-1176,共5页黑鸿君 李义锋 刘艳青 唐伟忠 马世杰 
采用强电流直流伸展电弧化学气相沉积(HCDCA CVD)技术在硬质合金微型工具表面沉积了SiC涂层作为过渡层,并在此基础之上制备了金刚石涂层。实验结果表明,采用HCDCA CVD技术在硬质合金表面制备的SiC纳米涂层连续、致密;此过渡层可有效地...
关键词：强电流直流伸展弧化学气相沉积(HCDCA CVD) SiC过渡层 金刚石涂层 微型工具 
四甲基硅烷流量对硬质合金表面沉积的SiC涂层的影响被引量：1
《人工晶体学报》2013年第3期402-407,共6页黑鸿君 于盛旺 刘艳青 丁明辉 李义锋 唐伟忠 
采用强电流直流伸展电弧化学气相沉积(HCDCA CVD)技术,在Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)先驱体组成的混合气体气氛下,在YG6硬质合金衬底表面沉积了SiC涂层。本文对不同TMS流量条件下制备的SiC涂层的沉积速率、表面形貌、化学成分、物相组成以...
关键词：HCDCACVD SiC过渡层 金刚石涂层 附着力 
高品质金刚石膜微波等离子体CVD技术的发展现状被引量：12
《中国材料进展》2012年第8期33-39,共7页唐伟忠 于盛旺 范朋伟 李义锋 苏静杰 刘艳青 
国家自然科学基金(10675017);国际科技合作项目(2010DFR50130)
金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美...
关键词：MPCVD金刚石膜沉积技术 高品质金刚石膜 
沉积温度对硬质合金表面沉积的SiC薄膜的影响被引量：1
《人工晶体学报》2012年第S1期264-269,共6页黑鸿君 于盛旺 刘艳青 李义锋 唐伟忠 
采用强电流直流伸展电弧等离子体CVD技术,以Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)为先驱气体,在YG6硬质合金衬底表面制备了SiC薄膜。实验结果表明:随着沉积温度的升高,薄膜的致密性和平整度提高;但当沉积温度过高时,SiC薄膜的表面开始具有含非晶碳...
关键词：强电流直流伸展电弧等离子体CVD SIC薄膜 沉积温度 表面形貌 附着力 
工艺参数对高功率MPCVD金刚石膜择优取向的影响研究被引量：7
《人工晶体学报》2012年第4期868-871,共4页于盛旺 刘艳青 唐伟忠 申艳艳 贺志勇 唐宾 
国家自然科学基金(51071106)
使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜。使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究。实验结果表明,高功率条件...
关键词：金刚石膜 高功率MPCVD 工艺参数 择优取向 
高功率MPCVD金刚石膜透波窗口材料制备研究被引量：10
《人工晶体学报》2012年第4期896-899,共4页于盛旺 刘艳青 唐伟忠 申艳艳 贺志勇 唐宾 
国家自然科学基金(51071106)
使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在沉积功率8 kW条件下,对大面积金刚石膜透波窗口材料进行了制备研究。分别使用扫描电镜、Raman、分光光谱仪、热导率测试仪和空腔谐振法对金刚石膜的表面形貌、品质、光透过率、...
关键词：金刚石膜 MPCVD 微波复介电常数 透波窗口材料 
椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下大面积金刚石膜的沉积被引量：6
《人工晶体学报》2011年第5期1145-1149,共5页于盛旺 范朋伟 李义锋 刘艳青 唐伟忠 
国家自然科学基金(10675017)
使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为9 kW,沉积压力为1.7×104 Pa和不同的气体流量条件下制备了金刚石膜。利用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征。实验结果表...
关键词：椭球谐振腔式MPCVD装置 金刚石膜 高功率 气体流量 生长速率 
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