邱春文

作品数：5被引量：18H指数：2
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供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
发文主题：多晶硅薄膜太阳能电池PECVD法氮化硅薄膜红外吸收光谱更多>>
发文领域：电气工程电子电信理学更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》《液晶与显示》《太阳能学报》《汕头大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：广东省科委资助项目更多>>
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金属诱导非晶硅(横向)结晶的扩散诱导模型
《汕头大学学报（自然科学版）》2004年第1期46-49,54,共5页邱春文 罗以琳 
为了能定性定量解释金属诱导非晶硅薄膜结晶实验中所遇到的一系列现象 ,提出一套扩散诱导结晶模型 。
关键词：金属诱导结晶 非晶硅薄膜 扩散诱导模型 半导体 横向结晶 
以SiF_4+H_2为气源PECVD法低温制备多晶硅薄膜被引量：1
《太阳能学报》2004年第3期333-336,共4页邱春文 石旺舟 黄翀 
采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、高迁移率(～20cm2/vs),择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiH4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了将近10倍。通过本实验,我们认为在低温时...
关键词：多晶硅薄膜 瞰 Ⅷ法 低温制备 
磁控反应溅射法低温制备氮化硅薄膜被引量：8
《汕头大学学报（自然科学版）》2003年第2期35-39,共5页邱春文 陈雄文 石旺舟 欧阳艳东 
采用射频 (RF)磁控反应溅射法制备出氮化硅薄膜 .从红外吸收光谱可见 ,氮气参加了反应并生成 Si- N键 ,薄膜中含有少量的 Si- O键和 Si- H键 ;薄膜的成分与制备过程中基片温度、射频功率等工艺参数密切相关 ,当基片温度升高到 40 0℃时 ...
关键词：氮化硅薄膜 射频磁控反应溅射法 制备过程 制备工艺 红外吸收光谱 基片温度 射频功率 
以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法
《人工晶体学报》2003年第4期361-365,共5页邱春文 石旺舟 王晓晶 周燕 
本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜。第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质 ;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶。通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射 (XRD)谱分析 ,我们认为金属低温诱导结...
关键词：性价比 多晶硅带衬底 多晶硅薄膜 等离子体化学气相沉积法 二次引铝 低温制备 太阳能电池 
PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究被引量：9
《液晶与显示》2003年第3期201-204,共4页邱春文 石旺舟 黄羽中 
广东省科委资助项目(130 122084)
在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的...
关键词：PECVD法 多晶硅薄膜 低温沉积 太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积法 
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