刘思佳

作品数:16被引量:15H指数:2
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供职机构:云南师范大学更多>>
发文主题:铜锌磁控溅射薄膜太阳电池CZTS更多>>
发文领域:电气工程理学动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>
发文期刊:《红外与毫米波学报》《硅酸盐通报》《物理学报》《云南师范大学学报(自然科学版)》更多>>
所获基金:国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目国家教育部博士点基金更多>>
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不同预退火温度对制备Cu_2SnS_3薄膜材料的影响
《材料科学与工程学报》2018年第5期769-772,763,共5页杨敏 王书荣 蒋志 李志山 刘思佳 陆熠磊 赵其琛 
西南地区可再生能源研究与开发协同创新中心资助项目(053002050516009);国家自然科学基金资助项目(61167003)
采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃(SLG)上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu_2SnS_3(CTS)薄膜。主要研究不同的预退火温度对最终薄膜结构以及光电性能的影响,结果表明,低温预...
关键词:铜锡硫(CTS)薄膜 射频磁控溅射 预退火处理 硫化 
单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究被引量:1
《物理学报》2017年第22期250-256,共7页赵其琛 郝瑞亭 刘思佳 刘欣星 常发冉 杨敏 陆熠磊 王书荣 
国家自然科学基金(批准号:61774130,11474248,61176127,61006085);国际科技合作重点项目(批准号:2011DFA62380);教育部博士点基金(批准号:20105303120002)资助的课题~~
采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS...
关键词:铜锌锡硫 磁控溅射 原位退火 太阳电池 
硫化温度-时间曲线对铜锌锡硫薄膜性能的影响
《人工晶体学报》2017年第9期1720-1727,共8页李琦 蒋志 杨剑 杨敏 陆熠磊 刘思佳 徐信 王书荣 
西南地区可再生能源研究与开发协同创新中心(053002050516009);国家自然科学基金(61167003)
采用溅射法制备含硫预制层,硫化时采用不同的升温速率对经过合金处理的含硫预制层进行退火硫化。通过表征薄膜的表面粗糙度,致密性,均匀性来研究硫化时升温速率对薄膜表面形貌的影响。结果表明当升温速率变慢时,薄膜中的CZTS颗粒逐渐增...
关键词:CZTS薄膜 太阳电池 磁控溅射 硫化 转换效率 
退火温度对分步溅射制备铜锌锡硫薄膜性能的影响被引量:3
《激光与光电子学进展》2017年第9期311-315,共5页赵其琛 郝瑞亭 刘思佳 杨敏 陆熠磊 刘欣星 常发冉 
国家自然科学基金(11474248;61176127;61006085;61274013);国家国际科技合作重点资助项目(2011DFA62380);教育部博士点基金(20105303120002)
利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜,并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明,当退火温度为400℃时,CZTS薄膜中含有Cu_2S及SnS等多种二次...
关键词:激光技术 铜锌锡硫 二元硫化物靶 磁控溅射 退火 
磁控溅射法制备大晶粒铜锌锡硫薄膜的研究
《云南师范大学学报(自然科学版)》2017年第2期21-24,共4页刘思佳 郝瑞亭 赵其琛 杨敏 陆熠磊 王书荣 
国家自然科学基金资助项目(61176127;61006085;11474248);国家国际科技合作计划重点资助项目(2011DFA62380)
采用磁控溅射Cu、Sn、Zn金属单质靶制备铜锌锡(CZT)金属预制层,在220℃下合金,然后在高温610℃硫化配合低速升温工艺对CZT前驱体进行退火,制备出晶粒尺寸为1~2μm的Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(...
关键词:CZTS薄膜 太阳电池 磁控溅射 硫化 
GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面(英文)被引量:2
《红外与毫米波学报》2017年第2期135-138,共4页郝瑞亭 任洋 刘思佳 郭杰 王国伟 徐应强 牛智川 
Supported by National Natural Science Foundation of China(11474248,61176127,61006085,61274013,61306013);Key Program for International S&T cooperation Projects of China(2011DFA62380);Ph.D.Programs Foundation of Ministry of Education of China(20105303120002)
系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaS b薄膜的最佳生...
关键词:低缺陷 锑化镓 原子力显微镜 V/III比 
化学水浴法制备CdS薄膜的研究被引量:1
《云南师范大学学报(自然科学版)》2016年第5期9-13,共5页李志山 蒋志 杨敏 刘思佳 唐语 郝瑞亭 王书荣 
国家自然科学基金资助项目(61167003)
采用化学水浴法在不同衬底上制备了CdS薄膜.测试表明,所制备薄膜具有良好的致密性且晶粒大小均匀、表面平整;随着薄膜厚度的增加,薄膜的结晶质量提高但透过率有所下降;在钠钙玻璃上制备的CdS薄膜的电阻率最小(42.15Ω·cm).将最优工艺...
关键词:CDS薄膜 化学水浴 不同衬底 透过率 
PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究被引量:1
《云南师范大学学报(自然科学版)》2016年第5期44-49,共6页任洋 郝瑞亭 刘思佳 王国伟 徐应强 牛智川 
国家自然科学基金资助项目(11474248,61176127,61006085,61274013);国际科技合作基金重点资助项目(2011DFA62380)
系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为...
关键词:分子束外延 INASSB 中波 红外探测器 
不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究被引量:3
《人工晶体学报》2016年第9期2341-2346,2351,共7页陆熠磊 王书荣 李志山 蒋志 杨敏 刘思佳 
西南地区可再生能源研究与开发协同创新中心(05300205020516009);国家自然科学基金(61167003)
目前制备CZTS薄膜太阳电池的缓冲层绝大多数采用硫酸镉作为镉源。本文将主要介绍用醋酸镉((Ch_3COO)_2Cd)、氯化镉(CdCl)2)和硝酸镉(Cd(NO_3)_2)和硫酸镉(CdSO_4)四种不同的镉源制备硫化镉薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(S...
关键词:不同镉源 硫化镉薄膜 铜锌锡硫 薄膜太阳电池 
电化学沉积法制备Cu2ZnSnS4薄膜电池被引量:1
《材料科学与工程学报》2016年第4期651-655,共5页杨敏 蒋志 李志山 刘涛 刘思佳 郝瑞亭 王书荣 
国家科技合作重点资助项目(2011DFA62380);国家自然科学基金资助项目(61176127);国家自然科学基金资助项目(61167003)
采用简单的两电极电化学沉积金属薄膜技术,在镀钼的钠钙玻璃衬底上共沉积Cu-Sn层后,再沉积Zn金属层,制备出Cu-Sn-Zn金属预制层。在不同的温度下进行低温退火后,以硫粉作为硫源高温硫化金属预制层,制备出晶体质量较好的Cu2ZnSnS4(CZTS)...
关键词:铜锌锡硫(CZTS) 薄膜太阳电池 电化学沉积 转换效率 
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