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用导纳谱研究锗量子点的能级结构
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第4期496-501,共6页张胜坤 朱海军 蒋最敏 胡冬枝 徐阿妹 林峰 陆昉 
国家自然科学基金(批准号:69776010);高等学校博士学科点专项科研基金
提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为...
关键词：量子点 导纳谱 锗 能级结构 
Annealing effects on the structure and electrical characteristics of amorphous Er_2O_3 films
《Chinese Physics B》2009年第8期3542-3546,共5页方泽波 朱燕艳 王佳乐 蒋最敏 
supported by the China Postdoctoral Science Foundation and Shaoxing Science and Technology Commission (Grant No2007A21015);supported by the Project of Shanghai Nanotechnology (Grant No 0852NM02400);the National Natural Science Foundation of China (Grant No 60806031)
Amorphous Er2O3 films are deposited on Si （001） substrates by using reactive evaporation. This paper reports the evolution of the structure, morphology and electrical characteristics with annealing temperatures in a...
关键词：Er2O3 gate dielectric AMORPHOUS 
同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构被引量：2
《科学通报》1996年第4期312-314,共3页修立松 姜晓明 郑文莉 卢学坤 蒋最敏 张翔九 王迅 
中国科学院重大项目"同步辐射实验方法应用"部分资助课题
半导体中掺杂是控制半导体的光电性能的手段,杂质在半导体中的浓度和分布等结构参数与材料的物理性质直接相关。随着分子束外延等材料生长技术的发展,新型的半导体材料如超晶格已经广泛地吸引了人们的注意。δ掺杂是近年来国际上出现的...
关键词：X射线衍射 同步辐射 Δ掺杂 硅 半导体 
第31届国际物理奥林匹克竞（宀西）试题与解答
《物理教学》2000年第12期20-29,共10页郑永令 蒋最敏 陆申龙 
A某蹦迪运动员系在一根长弹性绳子的一端，绳的另一端固定在一座高桥上，他自静止离桥向下面的河流下落，未与水面相触，他的质量为m，绳子的自然长度为L，绳子的力常数(使绳子伸长1m所需的力)为k，重力场强度为g。求出下面各量的表达式。
关键词：国际物理奥林匹克竞赛 试题 解答 解题思路 
近周期超晶格中的声学声子及其光散射特性被引量：5
《物理学报》1997年第9期1863-1872,共10页刘晓晗 黄大鸣 王兴军 张春红 朱海军 蒋最敏 王迅 
国家自然科学基金
利用转移矩阵方法计算了近周期超晶格体系（包括有限周期数的超晶格、耦合超晶格、层厚起伏和层厚渐变的超晶格）中声学声子的喇曼散射谱．结果表明上述近周期超晶格的光散射特性与理想严格周期的体系和完全无序的体系都不相同，呈现出...
关键词：近周期超晶格 声学声子 光散射 半导体 
Extremely Narrow Sb Delta-Doped Epitaxial Layer Characterized by X-Ray Reflectivity
《Chinese Physics Letters》1997年第9期686-689,共4页JIANG Zui-min XIU Li-song JIANG Xiao-ming ZHENG Wen-li LU Xue-kun ZHU Hai-jun ZHANG Xiang-jiu WANG Xun 
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No.69476008;the Key Project of the State Commission of Science and Technology of China.
An Sb delta doping layer in silicon is grown at the temperature of 300℃ by silicon molecular beam epitaxy and characterized by the small angle x-ray reflectivity measurement using synchrotron radiation beam.The oscil...
关键词：DOPANT REFLECTIVITY DOPING 
GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制被引量：1
《光电子．激光》2000年第1期14-16,共3页李宝军 万建军 李国正 刘恩科 胡冬枝 裴成文 秦捷 蒋最敏 王迅 
国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学重点基金资助项目!( 696360 1 0 );中国博士后基金
基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的...
关键词：调制器 光波导 硅化锗合金 干涉型 
Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究
《Journal of Semiconductors》1997年第10期725-730,共6页徐阿妹 朱海军 毛明春 蒋最敏 卢学坤 胡际璜 张翔九 
本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的...
关键词：半导体 砷化镓 硅 MBE异质生长 表面活化剂 
量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响
《Journal of Semiconductors》2002年第7期731-734,共4页周星飞 施斌 胡冬枝 樊永良 龚大卫 蒋最敏 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 10 )~~
在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是...
关键词：量子点 Si/Ge界面互扩散 分子束外延 硅衬底 喇曼光谱 
Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究
《发光学报》1995年第4期285-292,共8页杨宇 黄醒良 刘晓晗 黄大鸣 蒋最敏 龚大卫 张翔九 赵国庆 
国家自然科学基金
采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应...
关键词：分子束外延 量子阱 硅 发光材料 反常沟道效应 
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