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一种宽范围、高精度的带宽自适应式四相DLL被引量：2
《西安电子科技大学学报》2022年第1期194-201,共8页杨雪 刘飞 霍宗亮 
国家科技重大专项(2017ZX02301002);省院省校合作项目(2019YFSY0017)。
NAND Flash存储器具有读写速度高、容量大、可靠性高等优点,被广泛用于固态硬盘、存储卡、U盘等应用中,成为数据中心和消费电子的核心存储元件。开放NAND闪存接口国际标准作为NAND Flash与控制器之间通用接口协议,严格定义了数据传输相...
关键词：延迟锁相环 NAND Flash高速接口 宽范围 高精度 
硅纳米晶存储器的耐受性研究
《微纳电子技术》2014年第8期481-488,共8页姜丹丹 霍宗亮 靳磊 杨潇楠 王永 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB934200;2011CBA00600);国家自然科学基金资助项目(61176073;61221004;61306107);中国博士后科学基金面上资助项目(2014M550866);成都信息工程学院科研基金资助项目(KYTZ201318)
首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性。接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因。随后,同时采用多种分析手段,如电荷泵法和CV曲线分析法对界面陷...
关键词：硅纳米晶存储器 耐受性 界面陷阱 能级分布 退化 
An Improved Method to Extract Generation of Interface Trap in Hot-Carrier-Stressed LDD n-MOSFET
《Journal of Semiconductors》2003年第8期803-808,共6页杨国勇 毛凌锋 王金延 霍宗亮 王子欧 许铭真 谭长华 
国家重点基础研究发展规划资助项目(No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 )~~
A new improved technique,based on the direct current current voltage and charge pumping methods,is proposed for measurements of interface traps density in the channel and the drain region for LDD n MOSFET.This tech...
关键词：hot  carrier stress LDD ultra  thin gate oxide two step degradation 
一种大规模闪存灵敏放大器的多相位预充方法
《微电子学》2012年第5期632-636,共5页张君宇 张满红 霍宗亮 刘璟 刘阿鑫 刘明 
国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2011CBA00600);国家自然科学基金资助项目(60825403;61176080;61176073)
随着微电子技术节点不断向前推进,非挥发性存储器(NVM)的容量迅速增大,对读取速度的要求也日益提高。通常,在大规模快闪存储器中采用页读取模式将多个比特的数据同时读取到缓存中,再从缓存中依次输出数据。这样等效于缩短读取周期,但也...
关键词：灵敏放大器 非挥发性存储器 页读取 流水线 
Investigation of charge loss characteristics of HfO_2 annealed in N_2 or O_2 ambient
《Journal of Semiconductors》2014年第8期43-47,共5页褚玉琼 霍宗亮 韩宇龙 陈国星 张冬 李新开 刘明 
Project supported by the MOST(Nos.2010CB934200,2011CBA00600);the National Natural Science Foundation of China(No.61176073)
The retention characteristics of electrons and holes in hafnium oxide with post-deposition annealing in a N2 or 02 ambient were investigated by Kelvin probe force microscopy. The KFM results show that compared with th...
关键词：KFM Hf02 RETENTION 
三维闪存中基于钨互连的空气隙结构的制备工艺被引量：1
《半导体技术》2019年第4期281-285,共5页袁璐月 刘峻 范鲁明 郭安乾 夏志良 霍宗亮 
国家自然科学基金资助项目(61474137)
将空气隙应用于逻辑器件后段金属互连线中可以有效降低互连线间的寄生电容,提升电路信号传输速度,但制备过程仍具有一定的困难。基于三维闪存(3D NAND)中后段(BEOL)W的自对准双重图形化(SADP)工艺,利用湿法刻蚀的方法在W化学机械平坦化(...
关键词：三维闪存 W互连 RC延迟 空气隙 低台阶覆盖率 
一种用于NAND闪存的奇偶位线块编程补偿算法
《微电子学》2018年第4期500-503,共4页门顶顶 曹华敏 王颀 霍宗亮 
国家自然科学基金资助项目(61474137;61404168)
为改善数据保持干扰和编程干扰对NAND闪存可靠性的影响,提出了一种新的奇偶位线块编程补偿算法。该算法利用编程干扰效应来补偿由数据保持引起的阈值漂移,修复NAND闪存因数据保持产生的误码,提高了NAND闪存的可靠性。将该算法应用于编...
关键词：NAND闪存 数据保持 编程干扰 阈值漂移补偿 可靠性 
A Method to Separate Effects of Oxide-Trapped Charge and Interface-Trapped Charge on Threshold Voltage in pMOSFETs Under Hot-Carrier Stress
《Journal of Semiconductors》2003年第7期673-679,共7页杨国勇 王金延 霍宗亮 毛凌锋 谭长华 许铭真 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (No.2 0 0 0 -0 3 65 0 3 )~~
A simple new method based on the measurement of charge pumping technique is proposed to separate and quantify experimentally the effects of oxide-trapped charges and interface-trapped charges on threshold voltage degr...
关键词：MOS device oxide trap interface trap hot-carrier degradation threshold voltage 
3D NAND中基于SEG高度失效模型的DPPM预测算法
《电子产品可靠性与环境试验》2020年第6期58-61,共4页李治昊 夏志良 许高博 周文犀 霍宗亮 
3D NAND中工艺结构是导致器件失效的重要因素之一,其中,选择性外延生长(SEG)的生长高度也是导致失效的一个重要参数。因此,提出了一种新的关于SEG高度引起器件失效的模型、失效概率的计算方法,并由此计算预测每百万缺陷数(DPPM)。该算...
关键词：3D NAND 失效概率 选择性外延生长高度 每百万缺陷数 预测算法 
一种用于三维闪存测试的低成本PMU电路被引量：1
《微电子学与计算机》2020年第5期1-5,共5页张玺 王颀 童炜 霍宗亮 
国家科技重大专项(2017ZX02301002)。
为了改善3D NAND测试机价格昂贵导致的闪存芯片成本过高的问题,提出了一种新的基于FPGA的用于3D NAND闪存芯片直流参数测试的低成本PMU(精密测量单元)电路.利用FPGA灵活的可编程特性,通过对ADC、DAC和继电器等分立元件工作的控制,实现...
关键词：3D NAND FPGA 直流参数测试 精密测量单元 
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