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关于Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触问题的分析被引量：1
《光通信研究》1981年第2期40-51,共12页解金山 
本文对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触提出了研究方向,综述了主要材料GaAs和Inp的欧姆接触的各个方面。同时对最佳合金条件进行了理论分析。
关键词：欧姆接触 INP GAAS 化合物半导体 接触电阻率 半导体激光器 半导体光激射器 
LED倒装芯片Ni/Ag/Au结构反射层的退火工艺被引量：2
《半导体技术》2016年第11期842-846,共5页周朝旭 张保国 王静辉 甄珍珍 李晓波 潘柏臣 
河北省科技项目(15211017D)
针对LED倒装芯片中p-GaN与Ni/Ag/Au金属反射层之间的接触进行了研究,找到最优工艺条件。以光学反射率(455 nm波长)、比接触电阻率(SCR)、样品表面均方根粗糙度(RMS)和倒装芯片电参数测试结果为依据,找出Ni/Ag/Au金属反射层在N2环境下的...
关键词：氮化镓 发光二极管(LED) 欧姆接触 反射层 倒装芯片 
光探测与器件
《中国光学》2008年第4期69-70,共2页
关键词：紫外探测器 器件 欧姆接触 国家重点实验室 金属有机化学汽相沉积 半导体 测试结果 传感技术 肖特基势垒高度 响应率 
^(60)Coγ射线对高铝组分Al_(0.5)Ga_(0.5)N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响被引量：1
《物理学报》2013年第7期323-328,共6页张孝富 李豫东 郭旗 罗木昌 何承发 于新 申志辉 张兴尧 邓伟 吴正新 
采用60Coγ射线源对高铝组分Al0.5Ga0.5N盲紫外p-i-n结构光探测器和Si基可见光p-i-n结构探测器进行了累计剂量分别为0.1,1,10Mrad(Si)总剂量辐照实验.实验发现,随着辐照剂量的增加,AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器的理想因子显著增大,辐...
关键词：高铝组分AlxGa1-xN γ射线辐射效应 理想因子 欧姆接触 
Ge/Pt/Au,Ge/Au/Ni/Au—n型GaAs欧姆接触的对比研究
《微电子学与计算机》1992年第12期31-33,共3页周文益 许军 刘佑室 黄敞 陈宇 
对用快速热合金方法(RTP)形成Ge/Pt/Au,Ge/Au/Ni/Au—n型GaAs的欧姆接触进行了对比研究。实级结果表明,在合金形貌和欧姆接触特性兼顾的情况下,Ge/Pt/Au和Ge/Au/Ni/Au有不同的“温度—时间”窗口和接触电阻率。合金后,Auger能谱分析表明...
关键词：快速热合金 欧姆接触 接触电阻 
N掺杂ZnO薄膜的接触特性被引量：1
《发光学报》2008年第3期503-507,共5页单正平 顾书林 朱顺明 刘伟 刘少波 刘雪冬 汤琨 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究规划(2006CB921803);中国高科技发展研究项目(2007AA03Z404);国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100)资助项目
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景。而要实现大功率的光电器件,稳定可靠的欧姆...
关键词：N掺杂ZnO NI/AU 快速退火 欧姆接触 
Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展
《光通信研究》1987年第2期45-49,共5页孙序文 
本文介绍一种解释欧姆接触的比接触电阻ρ_c的新模型。并从理论上分析了利用RF溅射清洗半导体表面可使ρ_c降低的机理。
关键词：欧姆接触 半导体表面 比接触电阻 溅射清洗 肖特基势垒 金属-半导体接触 化合物半导体 
Formation of Nickel Based Ohmic Contact to High Energy Vanadium Implanted n-Type 4H-SiC
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1701-1705,共5页王超 张义门 张玉明 郭辉 徐大庆 王悦湖 
国家自然科学基金(批准号:60376001);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904);国防基础研究规划(批准号:51327020202)资助项目~~
The diffusion behavior of vanadium （V） implanted in SiC is investigated by secondary ion mass spec- trometry. Significant redistribution, especially out-diffusion of vanadium towards the sample surface, is not ob- s...
关键词：ohmic contact semi-insulating SiC V ion implantation diffusion carbon vacancies 
砷化镓欧姆接触中的能带工程
《微电子学》1998年第1期28-31,共4页张万荣 李志国 穆甫臣 郭伟玲 孙英华 陈建新 沈光地 
北京市科委科技新星计划基金;北京工业大学211基金
介绍了欧姆接触中运用能带工程的原理，评述了近年来ＧａＡｓ欧姆接触中能带工程应用的研究状况。具体分析了用薄的窄能隙材料做帽层降低势垒高度和基于Ｉｎ金属化系统的欧姆接触两方面的应用。
关键词：欧姆接触 能带工程 砷化镓 
金属与导电材料
《电子科技文摘》2001年第5期5-5,共1页
0107432固体 C70/GaAs 接触的界面态及整流特性[刊]/陈开茅//功能材料与器件学报.—2000,6（4）.—436～439（C）0107433Si 基 GaN 上的欧姆接触[刊]/赵作明//功能材料与器件学报.—2000,6（4）.—425～427（C）0107434三元 ...
关键词：功能材料 学报 器件 光谱研究 欧姆接触 液相金纳米粒子 界面态 整流特性 合金 扩散长度 
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