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检索条件:"关键词=MBE "
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InAs Wires on InP (001)
《Journal of Semiconductors》2006年第2期197-203,共7页吴巨 王占国 
The heterostructure of InAs/In0.52Al0.48As/InP is unique in that InAs wires instead of dots self-assemble in molecular beam epitaxy. These InAs wires have some distinctive features in their growth and structure. This ...
关键词:quantum wires INAS MBE 
第二类弱奇性Volterra积分方程的求解──在活动边界杂质扩散问题中的级数解
《河北轻化工学院学报》1996年第1期11-12,18,共3页刘英 郑克旺 任世伟 
分子束外延工艺广泛地应用到微电子器件的研究和制作,分子束外延过程中杂质的扩散问题可归结为活动边界的杂质扩散问题,研究该类问题时,常需求解第二类弱奇性Volterra积分方程。本文运用正、反Laphce变换和幂级数展开...
关键词:分子束外延 VOLTERRA 积分方程 杂质 扩散  
量子点2D-3D完整生长过程的Monte Carlo模拟被引量:1
《功能材料》2006年第10期1578-1580,1583,共4页詹静 陈曦 付非亚 杨康 胡义祥 褚海波 刘牛 江建军 
新世纪优秀人才计划资助项目(NCEF-04-0702)
利用蒙特卡罗模拟方法对GaAs衬底上MBE法自组织生长InAs量子点的过程进行了研究,完成了量子点二维到三维生长完整过程的模拟。充分考虑应力应变的影响因素,首次使用指数函数形式的应力应变模型,使模拟结果更加可靠。通过改变衬底温度,...
关键词:分子束外延 量子点自组织生长 蒙特卡罗方法 
束流强度分布与膜厚的关系被引量:1
《红外》2019年第9期23-27,共5页李震 王文燕 强宇 王丛 高达 
为了验证束流强度分布对膜厚的影响,通过束流分布的理论计算模拟出外延膜的分布,并与外延实验样品数据进行了对比,结果证实了我们的猜测,可以部分解释膜厚分布不均的情况。利用公式计算束流强度的分布,得出最薄点应为最厚点的73.26%。...
关键词:MBE 硅基衬底 束流分布 
GaAs/InGaAs量子点应变场的TEM研究被引量:2
《电子显微学报》2003年第5期395-399,共5页任晓伟 朱静 
国家自然科学基金资助项目;国家863项目;清华大学985资助项目.
运用透射电子显微术(TEM)对由分子束外延(MBE)制备的GaAs InGaAs多层量子点样品进行观察和分析。利用对量子点周围应变场分布的模拟,定性解释了量子点形貌及其周围发现的凹陷区域。通过对量子点高分辨像显示的晶格错配和化学成分分析研...
关键词:量子点材料 MBE 分子束外延 场分布 TEM 尺寸 显示 错配 研究结果 观察 
光学逻辑器件和光学逻辑(Ⅱ)(续一)
《半导体光电》1995年第1期10-18,共9页余飞鸿 
国家自然科学资金;青年资金
光学逻辑器件和光学逻辑(Ⅱ)(续一)余飞鸿(副教授)(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州310027)4.4混合偏振型光双稳器件[1,2]基于偏振改变而起开关作用的双稳器件不需要谐振腔。光线仅通过器件一次,而不...
关键词:光学逻辑器件 光学逻辑 半导体光电 
分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状被引量:2
《红外》2019年第8期15-18,共4页高达 王经纬 王丛 李震 吴亮亮 刘铭 
目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生长硅基中...
关键词:硅基碲镉汞 分子束外延 材料性能 
n型GaSb、InGaAsSb的MBE生长和特性研究
《功能材料与器件学报》1996年第4期260-263,共4页郑燕兰 李爱珍 王建新 茹国平 李存才 胡建 
本文报导了非故意掺杂InGaAsSb本底浓度的降低和掺Ten型GaSb和InGaAsSb的MBE生长与特性的研究结果。结果表明,通过生长工艺的优化,GaSb和InGaAsSb的背景空穴浓度可分别降至1.1×10^(1...
关键词:INGAASSB 掺杂 半导体 锑化物 MBE 
热退火对分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中深能级的影响
《Journal of Semiconductors》1989年第12期912-916,共5页徐鸿达 T.G.Andersson 
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置和幅度均发生变化.这是由于在热退火中金电极与GaAs反应,从而出现各种各样的DLTS峰谱.来用器件制造的...
关键词:分子束外延 GAAS 薄膜 深能级 热退火 
融合创新技术助力企业打造全新的MBE体系
《现代制造》2016年第26期36-36,共1页邵杰 
工程类制造型企业在产品开发、制造及服务等环节,需要载体和语言来传递产品的信息。传统上制造型企业以工程图为核心进行信息传递,然而基于此种方式,产品从设计到工艺再到制造的整个过程中,需要经历工程图向数字模型的多次转换,这...
关键词:制造型企业 MBE 创新技术 产品开发 信息传递 设计意图 工程语言 制造工程师 
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