国家自然科学基金(60276034)

作品数：5被引量：2H指数：1
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Optimization of gallium nitride-based laser diode through transverse modes analysis
《Chinese Optics Letters》2007年第10期588-590,共3页Xiaomin Jin 章蓓 Liang Chen 代涛 张国义 
supported by the"973"Program of China(No.TG2007CB307004);the"863"Program of China(No.863-2006AA03A113);the National Natural Science Foundation of China(No.60276034,60577030,and 60607003).
We investigate the transverse mode pattern in GaN quantum-well （QW） laser diode （LD） by numerical calculation. We optimize the current GaN LD structure by varying the n-GaN layer thickness. The n-type GaN layer is...
关键词：Gallium nitride Laser modes OPTIMIZATION Semiconductor quantum wells 
用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期464-466,共3页包魁 章蓓 代涛 康香宁 陈志忠 王志敏 陈勇 
国家自然科学基金(批准号:60077022,60276034,60577030和60607003),北京市科技项目(批准号:H030430020230)和国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2007CB307004)资助项目
为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压...
关键词：GAN基发光二极管 出光效率 纳米压印技术 微结构 
InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱中应变对光致发光特性的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期20-24,共5页于彤军 康香宁 秦志新 陈志忠 杨志坚 胡晓东 张国义 
国家自然科学基金(批准号:60676032,60276010,60376025,60276034)和北京市科技计划(批准号:H030430020230)资助项目 Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos. 60676032,60276010,60376025,60276034) and the Beijing Scientific & Technical Program(No.H030130020230)
对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品,进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇曼光谱测量.PL测量结果表明,相对于带有蓝宝石衬底的样品,InGaN/GaN多量子阱...
关键词：光致发光谱 INGAN ALGAN 多量子阱 应变 
Etch-Pits of GaN Films with Different Etching Methods被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1376-1380,共5页陆敏 常昕 方慧智 杨志坚 杨华 黎子兰 任谦 张国义 章蓓 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 2,60 2 760 3 4);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA3 13 110,2 0 0 1AA3 13 0 60和 2 0 0 1AA3 13 14 0 );集成光电子国家重点实验室开放课题资助项目~~
High quality GaN films on (0001) sapphire substrates were grown by a commercial MOCVD system (Thomas Swan Corp.).The etch pits and threading dislocations(TDs) in GaN films have been studied by chemical etching methods...
关键词：GAN EPD TD 
Optimized Layers Design for AlGaN/GaN/InGaN Symmetrical Separate Confinement Heterojunction Multi-Quantum Well Laser Diode
《Journal of Semiconductors》2004年第5期492-496,共5页陆敏 方慧智 张国义 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 2和 60 2 760 3 4);国家高技术研究发展计划 (批准号:2 0 0 1AA3 13 110,2 0 0 1AA3 13 0 60和2 0 0 1AA3 13 14 0 )资助项目~~
Waveguide characteristics of symmetrical separate confinement heterojunction multi quantum well (SCH MQW) AlGaN/GaN/InGaN laser diode (LD) are studied by using one dimensional (1 D) transfer matrix waveguide appro...
关键词：AlGaN/GaN/InGaN MQW SCH 
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